PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Тулин В.А.

Изобретатель Тулин В.А. является автором следующих патентов:

Устройство для определения изменения величины сопротивления

Устройство для определения изменения величины сопротивления

  № 137183 Класс 21е, 29м 21е, 32 421 17оа ВСКИ;1 Д1,„ 1 ПЯТЕН;1, Ц ТЕХ!й ECZAя ВИЬ111Ц;--,, ceca ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Лв 95 В. А. Тулин УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ Заявлено 2 сентября 1960 r. за № 678051/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетен...

137183


Кварцевый неастазированный гравиметр, содержащий кварцевую упругую систему с горизонтальной крутильной нитью

Кварцевый неастазированный гравиметр, содержащий кварцевую упругую систему с горизонтальной крутильной нитью

  -- -№ L4Q897 и ., I Класс 42с, 44 ceca ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа .Ч 1б5 В. А. Тулин КВАР ЦЕВЪ| Й Н ЕАСТАЗ И РОВА Н Н ЫЙ ГРАВ ИМЕТР, СОДЕРЖАЩИЙ КВАРЦЕВУЮ УПРУГУЮ СИСТЕМУ С ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ КРУТИЛ ЬНОЙ НИТЬЮ Заявлено 11 марта 1961 г. за № 721021/26-10 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетен...

149897

Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия

Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия

 Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания сквидов и измерительных приборов на их основе. В способе, включающем напыление пленки ниобия на кремниевую подложку, формирование первого электрода, формирование слоя барьера, напыление пленки ниобия, формирование второго электрода, с целью улучшения электрофизических характеристик контакта слой барьера формиру...

1602301

Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты)

Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты)

 Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур. ЭЦР-плазменный источник для обработки полупроводниковых ст...

2216818