PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Сулимин А.Д. (RU)

Изобретатель Сулимин А.Д. (RU) является автором следующих патентов:

Структура кремний-на-изоляторе для сбис

Структура кремний-на-изоляторе для сбис

 Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов. Над вторым слоем диэл...

2230393

Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис

Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис

 Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей. Сущность изобретения: в способе создания структуры кремний - на - изолят...

2234164

Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)

Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полост...

2248069

Способ изготовления полупроводникового прибора

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологии изготовления интегральной схемы на кремнии. Сущность изобретения: способ включает формирование на подложке активных областей приборов, маскирование, вскрытие контактных окон к активным областям, формирование системы металлизации, содержащей аморфный металлид, который обладает отрицательной теплотой смешения, а его компонен...

2250533

Способ заполнения углублений проводящим материалом

Способ заполнения углублений проводящим материалом

Использование: микро- и наноэлектроника, микро- и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: в способе заполнения в твердом теле углублений проводящим материалом, включающем нанесение на поверхность твердого тела, дно и боковые стенки указанных углублений первого слоя, который является барьерным материалом, предотвращающим диффузию указанного провод...

2258274


Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)

Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препят...

2260874