НОЛЛЕР Бастиан Мартен (DE)

Изобретение относится к новым водным полирующим композициям, которые особенно подходят для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и поликремния, необязательно содержащих пленки на основе нитрида кремния. Композиция содержит (A) абразивные частицы оксида церия и (B) амфифильные неионогенные поверхностно-активные вещества, выбранные из раст...

Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и к ее применению для полирования подложек для полупроводниковой промышленности. Способ изготовления полупроводниковых устройств включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), включающей...

Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 табл.

Группа изобретений относится к полимерной химии и может быть использована в полупроводниковой промышленности. Композиция для химико-механической полировки содержит (А) абразивные частицы диоксида церия; (В) один или более полимеров. Каждая макромолекула полимеров содержит (i) одну или более анионных функциональных групп и (ii) одну или более структурных единиц -(AO)a-R. А представляет собой CxH2x...