Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала si1-x gex в присутствии хмп (химико-механической полировальной) композиции, включающей специальное органическое соединение

Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и к ее применению для полирования подложек для полупроводниковой промышленности. Способ изготовления полупроводниковых устройств включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), включающей: (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит, (B) по меньшей мере один тип окислительного реагента, (C) по меньшей мере один тип органического соединения, выбранного из группы, состоящей из альфа-аминокислоты или ее соли, органического соединения, включающего от двух до пяти карбоксигрупп (-СООН), или его соли, моно-, ди-, триалканоламина или его соли, простого аминоэфира, включающего дополнительную аминогруппу, гидроксигруппу, алкоксигруппу, карбоксильный фрагмент, или его соли, органического соединения, включающего от двух до четырех гидроксигрупп (-ОН), или его соли, гетероциклического соединения, включающего 5- или 6-членное кольцо, содержащее от 1 до 3 атомов азота в качестве атомов-элементов кольца, или его соли, N,N,N′,N′-тетракис(2-гидроксипропил)этилендиамина, 4-(2-гидроксиэтил)морфолина, пентаметилдиэтилентриамина, соли или аддукта триэтаноламина (2,2′,2″-нитрилотрис(этанола)) и 4-[(2-этилгексил)амино]-4-оксоизокротоновой кислоты и 2,2′-диморфолинодиэтилового эфира, и (D) водную среду, в котором значение рН ХМП композиции находится в диапазоне от 2,5 до 5,5. Предложенная композиция для ХМП обеспечивает улучшенные характеристики полировки. 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 35 пр.

Реферат

Изобретение в основном относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) к ее применению для полирования подложек для полупроводниковой промышленности. Способ, соответствующий настоящему изобретению, представляет собой химико-механическое полирование элементарного германия и/или Si1-xGex в присутствии специальной ХМП (химико-механической полировальной) композиции.

В полупроводниковой промышленности химико-механическое полирование (используется аббревиатура ХМП) является хорошо известной технологией, используемой для изготовления современных фотонных, микроэлектромеханических и микроэлектронных материалов и устройств, таких как полупроводниковые пластины.

При изготовлении материалов и устройств, применяющихся в полупроводниковой промышленности, ХМП используют для планаризации поверхностей металлов и/или оксидов. Для обеспечения плоскостности полируемых поверхностей в ХМП используется взаимодействие химического и механического воздействия. Химическое воздействие оказывает химическая композиции, также называющаяся ХМП композицией или ХМП дисперсией. Механическое воздействие обычно оказывает полировальная подушка, которую обычно прижимают к полируемой поверхности и монтируют на подвижной плите. Перемещение плиты обычно является линейным, вращательным или орбитальным.

На типичной стадии способа ХМП вращающийся держатель полупроводниковых пластин приводит полируемую пластину в соприкосновение с полировальной подушкой. ХМП композицию обычно наносят между полируемой пластиной и полировальной подушкой.

В данной области техники способы химико-механического полирования слоев, содержащих германий, известны и описаны, например, в следующей ссылке.

В US 2010/0130012 А1 раскрыт способ полирования полупроводниковой пластины со слоем Si1-xGex с релаксированным напряжением, включающий первую стадию механической обработки слоя Si1-xGex полупроводниковой пластины в полирующей машине с использованием полировальной подушки, содержащей прочно закрепленные абразивные материалы, обладающие частицами размером, равным 0,55 мкм или менее, и вторую стадию хемомеханической обработки ранее механически обработанного с помощью полировальной подушки слоя Si1-xGex полупроводниковой пластины и с подачей суспензии полирующего средства, содержащей абразивные материалы. Раствор полирующего средства может содержать такие соединения, как карбонат натрия (Na2CO3), карбонат калия (К2СО3), гидроксид натрия (NaOH), гидроксид калия (KOH), гидроксид аммония (NH4OH), гидроксид тетраметиламмония (ГТМА) или любые необходимые их смеси.

В US 2008/0265375 А1 раскрыт способ одностороннего полирования полупроводниковых пластин, которые содержат релаксированный слой Si1-xGex, включающий: полирование множества полупроводниковых пластин в множестве циклов полировки, цикл полировки включает по меньшей мере одну стадию полировки, и по меньшей мере одну из множества полупроводниковых пластин получают с отполированным слоем Si1-xGex в конце каждого цикла полировки; и перемещение этой по меньшей мере одной полупроводниковой пластины во время этой по меньшей мере одной стадии полировки над вращающейся полирующей плитой, на которой находится ткань для полировки, при воздействии полирующего давления, и подачу полирующего средства между тканью для полировки и этой по меньшей мере одной полупроводниковой пластиной, подается полирующее средство, которое содержит щелочной компонент и компонент, который растворяет германий. Компонент, который растворяет германий, может включать пероксид водорода, озон, гипохлорит натрия или их смесь. Щелочной компонент может включать карбонат калия (К2СО3), гидроксид калия (KOH), гидроксид натрия (NaOH), гидроксид аммония (NH4OH), гидроксид тетраметиламмония (N(СН3)4OH) или их смесь.

FR 2876610 А1 раскрыт способ полировки поверхности германия, включающий стадию полировки с помощью по меньшей мере одного полирующего средства и раствор для слабого травления германия. Раствор для травления может представлять собой раствор, выбранный из группы, включающей раствор пероксида водорода, воду, раствор H2SO4, раствор HCl, раствор HF, раствор NaOCl, раствор NaOH, раствор NH4OH, раствор KOH, раствор Са(ClO)2 или смесь двух или большего количества этих растворов.

В US 2006/0218867 А1 раскрыта композиция для полирования, предназначенная для применения для полирования германия или монокристалла кремния-германия, полирующая композиция включает гипохлорит натрия, коллоидный диоксид кремния и воду, где эффективная концентрация хлора в полирующей композиции равна от 0,5 до 2,5%, содержание коллоидного диоксида кремния в полирующей композиции равно от 1 до 13 мас.%.

В US 2011/0045654 А1 раскрыт способ полирования структуры (12), включающей по меньшей мере один поверхностный слой германия (121), характеризующийся тем, что он включает первую стадию химико-механического полирования поверхности (121а) слоя германия (121), проводимую с помощью первого полирующего раствора, обладающего кислой реакцией, и вторую стадию химико-механического полирования поверхности слоя германия (121), проводимую с помощью второго полирующего раствора, обладающего щелочной реакцией.

В современном уровне техники способы химико-механического полирования содержащих германий сплавов, таких как сплавы германий-сурьма-теллур (ГСТ), известны и описаны, например, в следующей ссылке.

В US 2009/0057834 А1 раскрыт способ химико-механической планаризации поверхности, на которой находится по меньшей мере один топологический элемент, включающей халькогенидный материал, указанный способ включает стадии: А) приведение подложки, обладающей поверхностью, на которой находится по меньшей мере один топологический элемент, включающей халькогенидный материал, в соприкосновение с полировальной подушкой; В) внесение полирующей композиции, содержащей: a) абразив и b) окислительный реагент; и С) полировка подложки полирующей композицией. Халькогенидный материал представляет собой, например, сплав германия, сурьмы и теллура.

В US 2009/0057661 А1 раскрыт способ химико-механической планаризации поверхности, на которой находится по меньшей мере один топологический элемент, включающей халькогенидный материал, указанный способ включает стадии: А) приведение подложки, обладающей поверхностью, на которой находится по меньшей мере один топологический элемент, включающей халькогенидный материал, в соприкосновение с полировальной подушкой; В) внесение полирующей композиции, включающей: а) абразив с модифицированной поверхностью, обладающей положительным дзета-потенциалом; и b) окислительный реагент; и С) полировка подложки полирующей композицией. Халькогенидный материал представляет собой, например, сплав германия, сурьмы и теллура.

В US 2009/0001339 А1 раскрыта суспензионная композиция для химико-механического полирования (ХМП) запоминающего устройства с изменением фазового состояния, включающая деионизированную воду и азотсодержащее соединение. Запоминающее устройство с изменением фазового состояния предпочтительно включает по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, включающей InSe, Sb2Te3, GeTe, Ge2Sb2Te5, InSbTe, GaSeTe, SnSb2Te4, InSbGe, AglnSbTe, (GeSn)SbTe, GeSb(SeTe) или Te81Ge15Sb2S2. Азотсодержащим соединением может быть одно соединение, выбранное из группы, включающей алифатические амины, ароматические амины, соли аммония, аммониевые основания, или их комбинация.

В US 2007/0178700 А1 раскрыта композиция для химико-механического полирования (ХМП) подложки, содержащей сплав с изменяющимся фазовым состоянием, композиция включает: (а) измельченный абразивный материал в количестве, не превышающем примерно 3 мас.%; (b) по меньшей мере один хелатный агент, способный образовывать хелат со сплавом с изменяющимся фазовым состоянием, его компонентом или веществом, образовавшимся из сплава с изменяющимся фазовым состоянием во время химико-механического полирования; и (с) его водный носитель. Сплавом с изменяющимся фазовым состоянием является, например, сплав германий-сурьма-теллур (ГСТ). Хелатный агент может включать по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, включающей дикарбоновую кислоту, многоосновную карбоновую кислоту, аминокарбоновую кислоту, фосфат, полифосфат, аминофосфонат и фосфонокарбоновую кислоту, полимерный хелатный агент и его соль.

Одним из объектов настоящего изобретения является ХМП композиция и ХМП способ, подходящий для химико-механического полирования элементарного германия и обеспечивающий улучшенные характеристики полировки, в особенности высокую скорость удаления материала (MRR) германия и/или материала Si1-xGex (в котором 0,1≤x<1), или высокую селективность по отношению к германию по сравнению с селективностью по отношению к диоксиду кремния (селективность Ge:SiO2), или низкую статическую скорость травления (SER) германия, или комбинацию высокой MRR для германия и высокой селективности Ge:SiO2, и/или низкую SER для германия. Кроме того, одним из объектов настоящего изобретения является ХМП композиция и ХМП способ, подходящий для химико-механического полирования элементарного германия, который был внесен в канавки или выращен в канавках между STI (изолирующим с помощью мелких канавок) диоксидом кремния. Другим объектом настоящего изобретения является ХМП композиция и ХМП способ, подходящий для химико-механического полирования элементарного германия, который обладает формой слоя и/или нароста и обладает содержанием германия, составляющим более 98 мас.% в пересчете на соответствующий слой и/или нарост. Кроме того, необходим ХМП способ, который легок в применении, требует как можно меньше стадий.

В соответствии с этим, разработан способ изготовления полупроводниковых устройств, который включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП) (ниже обозначаемой, как (Q) или ХМП композиция (Q)), включающей

(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,

(B) по меньшей мере один тип окислительного реагента,

(C) по меньшей мере один тип органического соединения, которое включает по меньшей мере {k} фрагментов (Z), но исключены соли (S), анионы которых являются неорганическими и единственным органическим катионом которых является [NR11R12R13R14]+, где

{k} равно 1, 2 или 3,

(Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (-OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбокси группу (-СООН), карбоксилатную группу (-COOR2), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NR3R4 в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры), фосфонатную группу (P(=O(OR7)(OR8)), фосфатную группу (-О-P(=O)(OR9)(OR10)), остаток фосфоновой кислоты (-Р(=O)(ОН)2), остаток фосфорной кислоты (-O-Р(=O)(ОН)2) или их протонированные или депротонированные формы,

R1, R2, R7, R9 независимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

R3, R4, R5, R8, R10 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

R6 означает алкилен или арилалкилен,

R11, R12, R13 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил и R11, R12, R13 не содержат какой-либо фрагмент (Z),

R14 означает алкил, арил, алкиларил или арилалкил и R14 не содержит какой-либо фрагмент (Z),

и

(D) водную среду.

Кроме того, обнаружено применение ХМП композиции (Q) для химико-механического полирования подложки, включающей слой элементарного германия и/или Si1-xGex и/или нарост.

Предпочтительные варианты осуществления разъяснены в формуле изобретения и в описании. Следует понимать, что комбинации предпочтительных вариантов осуществления входят в объем настоящего изобретения.

Полупроводниковое устройство можно изготовить способом, соответствующим настоящему изобретению, указанный способ включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex (в котором 0,1≤x<1) в присутствии ХМП композиции (Q), предпочтительно, указанный способ включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или Si1-xGex в присутствии ХМП композиции (Q). Обычно этот элементарный германий и/или Si1-xGex может представлять собой элементарный германий и/или Si1-xGex любого типа, формы или вида. Этот элементарный германий и/или Si1-xGex предпочтительно обладает формой слоя и/или нароста. Если этот элементарный германий и/или Si1-xGex обладает формой слоя и/или нароста, то содержание германия и/или Si1-xGex предпочтительно составляет более 90%, более предпочтительно более 95%, наиболее предпочтительно более 98%, еще более предпочтительно более 99%, например более 99,9 мас.% от соответствующего слоя и/или нароста. Обычно этот элементарный германий и/или Si1-xGex можно изготовить или получить разными путями. Этот элементарный германий и/или Si1-xGex предпочтительно был внесен в канавки или выращен в канавках между другими подложками, более предпочтительно был внесен в канавки или выращен в канавках между диоксидом кремния, кремнием или другим изолирующим и полупроводниковым материалом, использующимся в полупроводниковой промышленности, наиболее предпочтительно был внесен в канавки или выращен в канавках между STI (изолирующим с помощью мелких канавок) диоксидом кремния, еще более предпочтительно выращен в канавках между STI диоксидом кремния в методике селективного эпитаксиального выращивания. Если этот элементарный германий и/или Si1-xGex был внесен в канавки или выращен в канавках между STI диоксидом кремния, то глубина указанных канавок предпочтительно равна от 20 до 500 нм, более предпочтительно от 150 до 400 нм и наиболее предпочтительно от 250 до 350 нм, еще более предпочтительно от 280 до 320 нм. В другом варианте осуществления, если этот элементарный германий и/или Si1-xGex был внесен в канавки или выращен в канавках между STI диоксидом кремния, кремнием или другим изолирующим и полупроводниковым материалом, использующимся в полупроводниковой промышленности, то глубина указанных канавок предпочтительно равна от 5 до 100 нм, более предпочтительно от 8 до 50 нм и наиболее предпочтительно от 10 до 35 нм, еще более предпочтительно от 15 до 25 нм.

Элементарный германий представляет собой германий в форме химического элемента и не включает соли германия или сплавы германия с содержанием германия, равным менее 90% в пересчете на массу соответствующего сплава.

Указанный материал Si1-xGex (в котором 0,1≤x<1) может представлять собой материал Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, любого типа, формы или размера. Обычно х может обладать любым значением в диапазоне от 0,1≤х<1. Предпочтительно, если х находится в диапазоне 0,1≤x<0,8, более предпочтительно, если х находится в диапазоне 0,1≤x<0,5, наиболее предпочтительно, если х находится в диапазоне 0,1≤x<0,3, например х равно 0,2. Указанный материал Si1-xGex предпочтительно представляет собой слой Si1-xGex, более предпочтительно слой Si1-xGex с релаксированной деформацией. Этот слой Si1-xGex с релаксированной деформацией может быть таким, как описано в параграфе [0006] в US 2008/0265375 А1.

Если способ, соответствующий настоящему изобретению, включает химико-механическое полирование подложки, включающей элементарный германий и/или Si1-xGex и диоксид кремния, то селективность скорости удаления материала по отношению к германию и/или Si1-xGex по сравнению с селективностью по отношению к диоксиду кремния предпочтительно превышает 10:1, более предпочтительно превышает 20:1, наиболее предпочтительно превышает 30:1, еще более предпочтительно превышает 50:1, еще более предпочтительно превышает 75:1, например превышает 100:1. Эту селективность можно отрегулировать, например, с помощью типа и концентрации органического соединения (С) в ХМП композиции (Q) и путем установления других параметров, таких как значение рН.

ХМП композицию (Q) используют для химико-механического полирования подложки, включающей элементарный германий и/или материал Si1-xGex (в котором 0,1≤x<1), предпочтительно для химико-механического полирования подложки, включающей слой элементарного германия и/или Si1-xGex и/или нарост. Содержание германия и/или Si1-xGex в указанном слое элементарного германия и/или Si1-xGex и/или нароста предпочтительно составляет более 90%, более предпочтительно более 95%, наиболее предпочтительно более 98%, еще более предпочтительно более 99%, например более 99,9 мас.% от соответствующего слоя и/или нароста. Слой элементарного германия и/или Si1-xGex и/или нароста можно получить разными путями, предпочтительно путем внесения в канавки или выращивания в канавках между другими подложками, более предпочтительно путем внесения в канавки или выращивания в канавках между диоксидом кремния, кремнием или другим изолирующим и полупроводниковым материалом, использующимся в полупроводниковой промышленности, наиболее предпочтительно путем внесения в канавки или выращивания в канавках между STI (изолирующим с помощью мелких канавок) диоксидом кремния, еще более предпочтительно путем выращивания в канавках между STI диоксидом кремния в методике селективного эпитаксиального выращивания.

Если ХМП композицию (Q) используют для полировки подложки, содержащей элементарный германий и диоксид кремния, то селективность скорости удаления материала по отношению к германию и/или Si1-xGex по сравнению с селективностью по отношению диоксиду кремния предпочтительно превышает 10:1, более предпочтительно превышает 20:1, наиболее предпочтительно превышает 30:1, еще более предпочтительно превышает 50:1, еще более предпочтительно превышает 75:1, например превышает 100:1.

ХМП композиция (Q) включает компоненты (А), (В), (С) и (D), описанные ниже.

ХМП композиция (Q) включает неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит (А). (А) может представлять собой

- один тип неорганических частиц,

- смесь или композит различных типов неорганических частиц,

- один тип органических частиц,

- смесь или композит различных типов органических частиц или

- смесь или композит одного или большего количества типов неорганических частиц и одного или большего количества типов органических частиц.

Композит является объединенной частицей, включающей два или большее количество типов частиц таким образом, что они механически, химически или другим образом связаны друг с другом. Примером композита является частица типа ядро-оболочка, содержащая частицу одного типа в наружной сфере (оболочке) и частицу другого типа во внутренней сфере (ядре).

Обычно частицы (А) могут содержаться в ХМП композиции (Q) в разных количествах. Предпочтительно, если содержание (А) равно не более 10 масс.% (масс.% означает "массовое содержание в процентах"), более предпочтительно не более 5 масс.%, наиболее предпочтительно не более 2,5 масс.%, например не более 1,8 масс.% в пересчете на полную массу композиции (Q). Предпочтительно, если содержание (А) равно не менее 0,002 масс.%, более предпочтительно не менее 0,01 масс.%, наиболее предпочтительно не менее 0,08 масс.%, например не менее 0,4 масс.% в пересчете на полную массу композиции (Q).

Обычно частицы (А) могут обладать разными распределениями по размерам. Распределение по размерам частиц (А) может быть мономодальным или мультимодальным. В случае мультимодальных распределений частиц по размерам бимодальное часто является предпочтительным. Для обеспечения легко воспроизводимого профиля характеристики и легко воспроизводимых условий проведения ХМП в способе, соответствующем настоящему изобретению, для (А) предпочтительно мономодальное распределение частиц по размерам. Наиболее предпочтительно, если (А) обладает мономодальным распределением частиц по размерам.

Средний размер частиц (А) может меняться в широком диапазоне. Средний размер частиц представляет собой значение d50 распределения по размерам частиц (А) в водной среде (D), и его можно определить по методикам динамического светорассеяния, таким образом, значения d50 рассчитывают при допущении о том, что частицы являются в основном сферическими. Ширина среднего распределения частиц по размерам является расстоянием (выраженным в единицах, использующихся для оси x) между двумя точками пересечения, в которых кривая распределения частиц по размерам пересекает 50% высоты относительного количества частиц, а высота максимального количества частиц принята за 100%.

Предпочтительно, если по данным измерения по методикам динамического светорассеяния с использованием таких приборов, как High Performance Particle Sizer (HPPS), выпускающийся фирмой Malvern Instruments, Ltd., или Horiba LB550, средний размер частиц (А) находится в диапазоне от 5 до 500 нм, более предпочтительно в диапазоне от 5 до 250 нм, наиболее предпочтительно в диапазоне от 20 до 150 нм и еще более предпочтительно в диапазоне от 35 до 130 нм.

Частицы (А) могут обладать разной формой. При этом частицы (А) могут обладать формой одного или в основном одного типа. Однако частицы (А) могут обладать разными формами. Например, могут содержаться частицы (А) двух форм разного типа. Например, (А) могут обладать формой кубов, кубов со скошенной кромкой, октаэдров, икосаэдров, шаровидной или сферической с выступами или углублениями или без них. Предпочтительно, если они являются сферическими без выступов или углублений или с небольшим количеством их.

На химическую природу частиц (А) не налагают особых ограничений. (А) могут обладать одинаковой химической природой или представлять собой смесь или композит частиц разной химической природы. Как правило, предпочтительны частицы (А) одинаковой химической природы. Обычно (А) может представлять собой

- неорганические частицы, такие как металл, оксид или карбид металла, включая металлоид, оксид или карбид металлоида, или

- органические частицы, такие как полимерные частицы,

- смесь или композит неорганических и органических частиц.

Частицами (А) предпочтительно являются неорганические частицы. Из них предпочтительными являются оксиды и карбиды металлов или металлоидов. Более предпочтительно, если частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, оксид меди, оксид железа, оксид никеля, оксид марганца, диоксид кремния, нитрид кремния, карбид кремния, оксид олова, оксид титана, карбид титана, оксид вольфрама, оксид иттрия, оксид циркония или их смеси или композиты. Наиболее предпочтительно, если частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, диоксид кремния, оксид титана, оксид циркония или их смеси или композиты. В частности, (А) являются частицами диоксида кремния. Например, (А) являются частицами коллоидного диоксида кремния. Обычно частицы коллоидного диоксида кремния получают по методике мокрого осаждения.

В другом варианте осуществления, в котором (А) являются органических частицами или смесью или композитом неорганических и органических частиц, в качестве органических частиц предпочтительны полимерные частицы. Полимерные частицы могут состоять из гомо- или сополимеров. Последние могут быть, например, блок-сополимерами или статистическими сополимерами. Гомо- или сополимеры могут обладать различными структурами, например линейной, разветвленной, гребнеобразной, дендримерной, перепутанной или сшитой. Полимерные частицы можно получить по анионному, катионному, регулируемому радикальному, свободнорадикальному механизму и по методике суспензионной или эмульсионной полимеризации. Предпочтительно, если полимерными частицами являются по меньшей мере одна из следующих: полистиролы, сложные полиэфиры, алкидные смолы, полиуретаны, полилактоны, поликарбонаты, полиакрилаты, полиметакрилаты, простые полиэфиры, поли(N-алкилакриламиды), поли(метилвиниловые эфиры) или сополимеры, включающие по меньшей мере одно из следующих мономерных звеньев: винилароматические соединения, акрилаты, метакрилаты, малеиновый ангидрид, акриламиды, метакриламиды, акриловую кислоту, метакриловую кислоту или их смеси или композиты. Из них предпочтительными являются полимерные частицы со сшитой структурой.

ХМП композиция (Q) содержит по меньшей мере один тип окислительного агента (В), предпочтительно от одного до двух типов окислительного реагента (В), более предпочтительно один тип окислительного реагента (В). Обычно окислительным агентом является соединение, которое может окислить полируемую подложку или один из ее слоев. Предпочтительно, если (В) является окислителем пероксидного типа. Более предпочтительно, если (В) представляет собой пероксид, персульфат, перхлорат, пербромат, перйодат, перманганат или его производное. Наиболее предпочтительно, если (В) представляет собой пероксид или персульфат. Особенно предпочтительно, если (В) представляет собой пероксид. Например, (В) представляет собой пероксид водорода.

Окислительный агент (В) может содержаться в ХМП композиции (Q) в переменных количествах. Предпочтительно, если содержание (В) равно не более 20 мас.%, более предпочтительно не более 10 мас.%, наиболее предпочтительно не более 5 мас.%, особенно предпочтительно не более 3,5 мас.%, например не более 2,7 мас.% в пересчете на полную массу композиции (Q). Предпочтительно, если содержание (В) равно не менее 0,01 мас.%, более предпочтительно не менее 0,08 мас.%, наиболее предпочтительно не менее 0,4 мас.%, особенно предпочтительно не менее 0,75 мас.%, например не менее 1 мас.% в пересчете на полную массу композиции (Q). Если пероксид водорода используют в качестве окислительного реагента (В), то содержание (В) равно, например, 2,5 мас.% в пересчете на полную массу композиции (Q).

ХМП композиция (Q) содержит по меньшей мере один тип органического соединения (С), которое включает по меньшей мере {k} фрагментов (Z), но исключены соли (S), анионы которых являются неорганическими и единственным органическим катионом которых является [NR11R12R13R14]+. Предпочтительно, если ХМП композиция (Q) содержит от одного до двух типов такого органического соединения (С), более предпочтительно один тип такого органического соединения (С).

Исключенные соли (S) являются солями, анионы которых являются неорганическими и единственным органическим катионом которых является [NR11R12R13R14]+, где

R11, R12, R13 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил и R11, R12, R13 не содержат какой-либо фрагмент (Z),

R14 означает алкил, арил, алкиларил или арилалкил и R14 не содержит какой-либо фрагмент (Z).

Примерами исключенных солей (S) являются гидроксид тетраметиламмония и карбонат тетраметиламмония.

Термин "органический" в "органическом соединении" и "органическом катионе" означает соединение, молекулы которого содержат по меньшей мере один атом углерода, за исключением неорганических углеродсодержащих соединений, которыми являются:

- аллотропные формы углерода, такие как алмаз, графит и фуллерен,

- углеродсодержащие сплавы или карбиды,

- соединения, атом или атомы углерода которого все включены в нейтральные молекулы, лиганды или анионы, содержащие только

(i1) по меньшей мере один атом углерода и по меньшей мере один атом по меньшей мере одного элемента группы 15, 16 и/или 17,

(i2) гидрокарбонат, угольную кислоту, гидротиокарбонат или тиоугольную кислоту, или

(i3) HCN, H2NCN, HOCN, HSCN или их изомеры.

Примерами неорганических углеродсодержащих соединений (i1) являются СО, Ni(CO)4, CO2, Na2CO3, К2СО3, (NH4)2СО3, COS, CS2, (CN)2, BrCN, NaCN, KCN, Na(OCN), K(SCN), CCl4, COF2 и т.п. Примерами неорганических углеродсодержащих соединений (i2) являются NaHCO3, КНСО3, (NH4)НСО3 и т.п.

Любое соединение, включая любой катион или анион, который в соответствии с приведенным выше определением не является "органическим", является "неорганическим".

{k}, минимальное количество фрагментов (Z), содержащихся в соединении (С), равно 1, предпочтительно 2, более предпочтительно 3.

Фрагмент (Z), содержащийся в органическом соединении (С), означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (-OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), карбоксилатную группу (-COOR2), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NR3R4 в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры), фосфонатную группу (-P(=O)(OR7)(OR8)), фосфатную группу (-O-P(=O)(OR9)(OR10)), остаток фосфоновой кислоты (-Р(=O)(ОН)2), остаток фосфорной кислоты (-O-Р(=O)(ОН)2) или их протонированные или депротонированные формы, где

R1, R2, R7, R9 независимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

R3, R4, R5, R8, R10 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

R6 означает алкилен или арилалкилен.

Предпочтительно, если фрагмент (Z), содержащийся в органическом соединении (С), означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NR3R4 в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры) или их протонированные или депротонированные формы, где

R1, R2, R7, R9 независимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

R3, R4, R5, R8, R10 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

R6 означает алкилен или арилалкилен.

Если фрагмент (Z) представляет собой гетероциклическую алкоксигруппу или гетероциклическую иминогруппу, то выражение "в качестве части гетероциклической структуры" означает, что соответствующий фрагмент (Z) расположен в гетероциклической структуре соединения (С) таким образом, что соответствующий заместитель R1, R5, R6 связан, прямо или косвенно через другие фрагменты, опять с тем же фрагментом (Z). Если фрагмент (Z) представляет собой гетероциклическую иминогруппу и если гетероциклическая структура обладает ароматическим характером, то может оказаться невозможным различить =N-R5 и -N=R6 вследствие ароматического характера. Если фрагмент (Z) представляет собой гетероциклическую аминогруппу, то выражение "в качестве части гетероциклической структуры" означает, что соответствующий фрагмент (Z) расположен в гетероциклической структуре соединения (С) таким образом, что по меньшей мере один из соответствующих заместителей R3 или R4 связан, прямо или косвенно через другие фрагменты, опять с тем же фрагментом (Z).

Гетероциклическое соединение или структура означает соединение или структуру, которая в качестве атомов - элементов кольца содержит атомы по меньшей мере двух разных элементов.

Если заместители R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 или R10 содержат в себе один или большее количество фрагментов (Z), которые в этом случае обозначаются как (Z′), то лишь часть соответствующего заместителя, исключая (Z′), рассматривается как R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 или R10.

R1 обычно может означать любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R1 предпочтительно означает замещенную или незамещенную алкильную, более предпочтительно незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R1 означает C1-C12-алкильную, предпочтительно C1-C6-алкильную группу.

R2 обычно может означать любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R2 предпочтительно означает замещенную или незамещенную алкильную, более предпочтительно незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R2 означает С112-алкильную, предпочтительно C1-C6-алкильную группу.

R3 обычно может означать Н или любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R3 предпочтительно означает Н или замещенную или незамещенную алкильную группу, более предпочтительно Н или незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R3 означает Н или С112-алкильную группу, предпочтительно Н или C1-C6-алкильную группу, например Н.

R4 обычно может означать Н или любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R4 предпочтительно означает Н или замещенную или незамещенную алкильную группу, более предпочтительно Н или незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R4 означает Н или С112-алкильную группу, предпочтительно Н или C1-C6-алкильную группу, например Н.

R5 обычно может означать Н или любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R5 предпочтительно означает Н или замещенную или незамещенную алкильную группу, более предпочтительно Н или незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R5 означает Н или С112-алкильную группу, предпочтительно Н или C1-C6-алкильную группу, например Н.

R6 обычно может означать любую замещенную или незамещенную алкиленовую или арилалкиленовую группу. R6 предпочтительно означает замещенную или незамещенную алкиленовую, более предпочтительно незамещенную алкиленовую группу. Наиболее предпочтительно, если R6 означает С112-алкиленовую, предпочтительно С16-алкиленовую группу.

R7 обычно может означать любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R7 предпочтительно означает замещенную или незамещенную алкильную, более предпочтительно незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R7 означает С112-алкильную, предпочтительно C1-C6-алкильную группу.

R8 обычно может означать Н или любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R8 предпочтительно означает Н или замещенную или незамещенную алкильную группу, более предпочтительно Н или незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R8 означает Н или С112-алкильную группу, предпочтительно Н или C1-C6-алкильную группу, например Н.

R9 обычно может означать любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R9 предпочтительно означает замещенную или незамещенную алкильную, более предпочтительно незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R9 означает С112-алкильную, предпочтительно C1-C6-алкильную группу.

R10 обычно может означать Н или любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R10 предпочтительно означает Н или замещенную или незамещенную алкильную группу, более предпочтительно Н или незамещенную алкильную группу. Наиболее предпочтительно, если R10 означает Н или С112-алкильную группу, предпочт