Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала si1-x gex в присутствии хмп (химико-механической полировальной) композиции, включающей специальное органическое соединение
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и к ее применению для полирования подложек для полупроводниковой промышленности. Способ изготовления полупроводниковых устройств включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), включающей...