ЧИНТАМАНЕНИ Вамсее (US)
Изобретатель ЧИНТАМАНЕНИ Вамсее (US) является автором следующих патентов:

Использование электрической емкости для анализа поликристаллического алмаза
Использование: для измерения характеристик сверхтвердой поликристаллической структуры. Сущность заключается в том, что устройство включает в себя устройство измерения емкости, имеющее положительный и отрицательный выводы, выщелоченный компонент, содержащий поликристаллическую структуру, первый провод и второй провод, выщелоченный компонент включает в себя первую поверхность и противоположную втору...
2610041
Высокотемпературная обработка при высокой скорости нагрева резцов pdc
Изобретение относится к области термической обработки резцов, имеющих поликристаллическую структуру. Для уменьшения остаточных напряжений получают один или более резцов, каждый из которых содержит основание, поликристаллическую структуру, присоединенную к нему, и остаточные напряжения. Способ включает этапы, на которых определяют критическую температуру и критический период времени для катего...
2628593