Щеглов Дмитрий Владимирович (RU)

Изобретение относится к наноэлектронике, микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах, а также для создания микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Способ заключается в том, что электрод подводят к поверхности подложки, затем на электрод подают отрицательный относительно точки поверхности подложки электростатический потенциал в течение промеж...

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при создании микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в способе создания пленок германия на подложке формируют пленку германийсодержащего материала (GeO) толщиной 5-100 нм. Затем электрод-иглу приводят в контакт с пленкой GeO и подают положительный относительно поверхности пленки электростатический пот...

Способ анализа трения с использованием атомно-силовой микроскопии и устройство для его осуществления могут быть использованы для исследования трибологических свойств поверхностей в нанометровом масштабе. Изобретение направлено на упрощенное высокоточное измерение энергии диссипации на трение между двумя соприкасающимися телами, в широком диапазоне скоростей и в любой локальной точке их соприкосн...

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для усовершенствования работы инструментов, измеряющих высоту рельефа поверхности, и для сертификации высотных стандартов. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии полупроводниковую пластину кремния с вицинальной поверхностью помещ...

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии подложку кремния с вицинальной поверхностью помещают в вакуум и проводят термоэлектрический отжиг, формируя на поверхности подложки моноатомные ступени, разделенные широкими террасами с первоначальной повер...

Изобретение относится к технологии микро- и оптоэлектроники. Сущность изобретения: в способе формирования плоской гладкой поверхности твердотельного материала на подложке твердотельного материала формируют лунку, с участками поверхности, отклоненными в диаметрально противоположных направлениях, обеспечивающими противоположную направленность фронтов атомных ступеней. Проводят термоэлектрический от...

Предложенный способ относится к изготовлению инструмента измерительной техники для исследований профилей топографических особенностей гладкой поверхности - ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Согласно заявленному способу, подготавливают полупроводниковую пластину с вицинальной поверхностью, характеризуемой наличием верхней и нижне...

Использование: для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов. Сущнось изобретения заключается в том, что на исходной структуре кремний-на-изоляторе (КНИ) структурируют слой кремния, расположенный на диэлектрическом слое, фокусированным ионным пучком (ФИП) до получения с заданной длиной и шириной тела плоской меандрообразной пружины с площадками на концах, при структурировани...