Гаврищук Евгений Михайлович (RU)
Изобретатель Гаврищук Евгений Михайлович (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения высокочистого диоксида селена
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого диоксида селена, который может быть использован в органическом синтезе, а также в полупроводниковой технике. Диоксид селена получают окислением селенида цинка кислородом при атмосферном давлении. Окисление ведут в две стадии одновременно двумя потоками кислорода, при этом на первой стадии окисление с...
2270166Способ обработки оптических элементов из селенида цинка
Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает глубокую шлифовку микропорошками окиси алюминия и глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полиро...
2338014Способ получения двойного изопропилата магния-алюминия
Настоящее изобретение относится к способу получения двойного изопропилата магния-алюминия, который является исходным соединением для синтеза нанодисперсных порошков алюмомагниевой шпинели, которые могут использоваться для получения прозрачной поликристаллической керамики. Способ заключается во взаимодействии изопропилового спирта с магнием и алюминием в присутствии активатора с последующей очистк...
2471763Композиционный оптический материал и способ его получения
Изобретение относится к оптико-механической промышленности, в частности к оптическим материалам, применяемым в устройствах и приборах инфракрасной техники, и может быть использовано для изготовления защитных входных люков (окон), обеспечивающих надежное функционирование приборов. Композиционный оптический материал включает основу в виде прозрачной пластины-подложки, выполненной из ZnSe, выращенн...
2485220Способ получения легированных халькогенидов цинка и их твердых растворов
Изобретение относится к ИК-оптике и может быть использовано для производства перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии. Способ включает нанесение на поверхность образца из халькогенидов цинка или их твердых растворов пленки легирующего элемента, в качестве которого используют один или несколько элементов из следующего ряда: хром, кобальт, железо,...
2549419Способ получения прозрачной керамики алюмоиттриевого граната
Изобретение относится к способу получения прозрачной керамики алюмоиттриевого граната (ИАГ), в том числе легированной ионами редкоземельных металлов (Nd, Yb, Tm, Но, Er), которая может быть использована в качестве активной лазерной среды, либо люминофоров и сцинтилляторов (при легировании ионами Ce, Pr, Tb, Eu, Sm). В способе золь-гель методом получают порошки ксерогеля примерного состава [Y3Al5...
2584187Способ получения легированных переходными металлами халькогенидов цинка
Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается технологии получения легированных переходными металлами халькогенидов цинка в качестве активной среды или пассивного затвора для твердотельных лазеров. Способ заключается в том, что на, по меньшей мере, часть поверхности, по меньшей мере, одного элемента из халькогенида цинка наносят, по меньшей мере, один слой пленки...
2631298Способ получения легированных халькогенидов цинка
Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается разработки способа получения легированных халькогенидов цинка для перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии. Способ включает нанесение на поверхность халькогенида цинка пленки легирующего компонента из хрома толщиной 2-10 мкм или железа толщиной 1 мкм, формирование на уп...
2636091