Кортов Всеволод Семенович (RU)
Изобретатель Кортов Всеволод Семенович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ повторного измерения дозиметрического термолюминесцентного сигнала в твердотельных детекторах ионизирующих излучений Способ повторного измерения дозиметрического термолюминесцентного сигнала в твердотельных детекторах ионизирующих излучений](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8c46e61533dfe0e63dc28cef671f3219.jpg)
Способ повторного измерения дозиметрического термолюминесцентного сигнала в твердотельных детекторах ионизирующих излучений
Использование: для снятия повторных показаний с термолюминесцентных детекторов ионизирующего излучения. Технический результат - повышение точности, надежности и достоверности измерений доз. Сущность: после первого считывания термолюминесцентного сигнала облучают детектор оптическим излучением до полного опустошения глубокой ловушки и производят повторное измерение термолюминесцентного сигнала с ни...
2275655![Способ термолучевой подготовки к экспозициям термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений на основе оксида алюминия Способ термолучевой подготовки к экспозициям термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений на основе оксида алюминия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/24f2c649e1ca2d44968dc58f19991fa7.jpg)
Способ термолучевой подготовки к экспозициям термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений на основе оксида алюминия
Использование: для подготовки к рабочим экспозициям термолюминесцентных детекторов ионизирующего излучения, запаянных в политетрафторэтиленовую пленку. Технический результат изобретения: стабилизация чувствительности детекторов к регистрируемому излучению в процессе их эксплуатации, продление ресурса эксплуатации дозиметров радиационных излучений. Сущность: способ включает облучение детекторов при...
2288485![Люминесцентный наноструктурный композиционный керамический материал Люминесцентный наноструктурный композиционный керамический материал](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0b8df5ad6b58c24af6e3bc6ed5467bff.jpg)
Люминесцентный наноструктурный композиционный керамический материал
Изобретение относится к области создания люминесцентных наноструктурных композиционных керамических материалов на основе диоксида кремния и ортосиликата цинка (виллемита) и может быть использовано при разработке светоизлучающих и светосигнальных устройств, например плазменных дисплейных панелей, световых матричных индикаторов, светофоров и т.п., излучающих определенный цветовой тон видимого спек...
2364614![Способ определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия Способ определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1b1696b59eeb3ddca875108f7e915109.jpg)
Способ определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия
Изобретение может быть использовано в персональной дозиметрии, при мониторинге радиационной обстановки, при археологическом и геологическом датировании, в аварийной дозиметрии. Способ включает нагрев детектора с одновременным измерением в процессе нагрева интенсивности термолюминесцентного свечения в области видимого спектра и последующей оценкой поглощенной дозы по параметрам полученной кривой...
2378665![Устройство для определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия Устройство для определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3f68bd224854bedc47a4186ae00127f0.jpg)
Устройство для определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия
Изобретение может быть использовано в персональной дозиметрии, при мониторинге радиационной обстановки, при археологическом и геологическом датировании, в аварийной дозиметрии. Устройство включает блок нагрева указанного детектора, а также блок регистрации термолюминесцентного свечения этого детектора. Выход блока регистрации термолюминесцентного свечения соединен со входом блока оценки поглощен...
2378666![Люминесцентный наноструктурный композиционный керамический материал Люминесцентный наноструктурный композиционный керамический материал](https://img.patentdb.ru/i/200x200/dee81d1bdf68d88c794a5b3f61a53ec7.jpg)
Люминесцентный наноструктурный композиционный керамический материал
Изобретение может быть использовано при разработке светоизлучающих устройств, например, сигнальных ламп и светофоров. Люминесцентный наноструктурный композиционный керамически материал выполнен на основе 53,1÷99,0 вес.% матрицы α-Al2O3 с размерами зерен от 200 до 2000 нм, содержащей распределенные в ней нанокристаллические керамические фазы: первую наноструктурную компоненту, включающую Si, в кол...
2382810![Способ получения люминесцентного наноструктурного композиционного керамического материала Способ получения люминесцентного наноструктурного композиционного керамического материала](/img/empty.gif)
Способ получения люминесцентного наноструктурного композиционного керамического материала
Изобретение может быть использовано при изготовлении плазменных дисплейных панелей, световых матричных индикаторов, светофоров. Порошок диоксида кремния формуют под давлением 0,3÷0,5 ГПа до получения пористой матрицы с относительной плотностью 0,2÷0,5. Порошок шестиводного азотнокислого марганца смешивают с водным раствором азотнокислого цинка концентрацией 50±10 г/л, в такой пропорции, чтобы на...
2383579![Способ получения композиционного керамического материала (варианты) Способ получения композиционного керамического материала (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ff82b5d995d71663d87694e8b0b5779b.jpg)
Способ получения композиционного керамического материала (варианты)
Группа изобретений относится к способам создания люминисцентного композиционного керамического материала на основе альфа-оксида алюминия и алюмомагниевой шпинели, который может быть использован при разработке светоизлучающих и светосигнальных устройств, например светодиодов и светофоров. Способ по первому варианту основан на изготовлении композиции смешиванием порошковых компонентов, содержащих а...
2397196![Наноразмерное анионо-дефектное вещество на основе оксида алюминия для люминесцентного дозиметра ионизирующих излучений Наноразмерное анионо-дефектное вещество на основе оксида алюминия для люминесцентного дозиметра ионизирующих излучений](https://img.patentdb.ru/i/200x200/906f9f9311097e7d66af873c402a1422.jpg)
Наноразмерное анионо-дефектное вещество на основе оксида алюминия для люминесцентного дозиметра ионизирующих излучений
Изобретение относится к радиационной физике твердого тела, а именно к веществам (детекторам), предназначенным для люминесцентоной дозиметрии ионизирующих излучений, и может быть использовано в персональной и клинической дозиметрии, при мониторинге радиационной обстановки на различных объектах. Наноразмерное анионо-дефектное вещество на основе оксида алюминия включает алюминий в кристаллическом со...
2424273![Способ получения нанокомпозитного люминофора в виде кварцевого стекла, включающего нанокластеры меди Способ получения нанокомпозитного люминофора в виде кварцевого стекла, включающего нанокластеры меди](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b8045ba5ae861f6ccae7e6e34a2ce910.jpg)
Способ получения нанокомпозитного люминофора в виде кварцевого стекла, включающего нанокластеры меди
Изобретение может быть использовано при создании светоизлучающих и светосигнальных устройств, например плазменных дисплейных панелей, световых матричных индикаторов, светофоров. Ионы меди имплантируют в кварцевое стекло при дозе облучения 5·1015÷2·1017 см-2 с энергией ионов 35÷45 кэВ. Затем люминофор термообрабатывают в воздушной атмосфере при температуре 750÷900°С в течение 1÷2 ч, после чего осу...
2443748![Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана](/img/empty.gif)
Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана
Изобретение касается легированного кварцевого стекла с тетраэдрической координацией атомов титана и может быть использовано при создании оптоэлектронных и светоизлучающих устройств. Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана представляет собой основу, состоящую из диоксида кремния, с поверхностным слоем, включающим диоксид титана и диоксид кремния. Толщина поверхно...
2477711![Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла](https://img.patentdb.ru/i/200x200/637204c8db25678ebd65095ca9d4d115.jpg)
Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла
Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры олова. Упомянутый способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию ионов олова в кварцевое стекло и отжиг имплантированного ионами олова кварцевого стекла в воздушной атм...
2486282![Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке](/img/empty.gif)
Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке
Изобретение к способу получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена, расположенной на кремниевой подложке. Способ включает имплантацию ионов селена с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2 в указанную пленку и первый отжиг при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота. При этом пленку дополнительно отжигают при температу...
2504600![Способ измерения поглощенной дозы ионизирующего излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия (варианты) Способ измерения поглощенной дозы ионизирующего излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/50fee0868f1d548bc72f66ee5db86716.jpg)
Способ измерения поглощенной дозы ионизирующего излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия (варианты)
Изобретение относится к радиационной физике, а именно к способам измерения поглощенной дозы ионизирующего γ-излучения, или β-излучения, или импульсного потока электронов в термолюминесцентном детекторе на основе анионодефектного монокристалла оксида алюминия. Способ измерения поглощенной дозы ионизирующего излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионодефектного монокристалла оксида...
2513651![Способ термоподготовки к экспозиции термолюминесцентного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия Способ термоподготовки к экспозиции термолюминесцентного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия](/img/empty.gif)
Способ термоподготовки к экспозиции термолюминесцентного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия
Изобретение относится к измерению высоких доз поглощенного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ термоподготовки к экспозиции термолюминесцентного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия включает термообработку, при этом после считывания высокодозной (более 2 Гр) дозиметрической информации термолюминесцентный детектор подвергают термообработке при темпе...
2526235![Конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке Конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0da4ce099bf6daf2e9d9d30420500c55.jpg)
Конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке
Изобретение относится к люминесцентным материалам - конвертерам вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, выполненным в виде аморфной пленки оксида кремния SiOX на кремниевой подложке, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процесса...
2526344![Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sioх на кремниевой подложке Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sioх на кремниевой подложке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d4cfde39e9c95092a906b63fa30e89cb.jpg)
Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sioх на кремниевой подложке
Изобретение относится к способу получения люминесцентного материала - конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiOX на кремниевой подложке, предназначенного для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических про...
2534173![Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6bd9f51f22d0e55950a2cea97e7a3629.jpg)
Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке
Изобретение относится к материаловедению. Пленка оксида кремния на кремниевой подложке, имплантированная ионами олова, включает нанокластеры альфа-олова. Толщина пленки составляет 80÷350 нм, средняя концентрация олова находится в пределах от 2,16 до 7,1 атомных процентов, нанокластеры альфа-олова имеют радиус от 1,5 до 4 нм. Пленка имеет увеличенную интенсивность и уменьшенную ширину полосы фото...
2535244![Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5223c2b18cfb1c1984e24c6c486e8d0b.jpg)
Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла
Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры цинка. Способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию ионов цинка в кварцевое стекло и отжиг имплантированного ионами цинка кварцевого стекла в воздушной атмосфере. Имп...
2568456![Материал для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio2sx на кремниевой подложке Материал для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio2sx на кремниевой подложке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0e6eaa916e43cc0afd6c2ebabea33236.jpg)
Материал для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio2sx на кремниевой подложке
Изобретение относится к люминесцентным материалам для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процессах. Предложенный материал характеризуется тем, что толщина аморфной пленки оксид...
2584205![Имплантированное ионами цинка кварцевое стекло Имплантированное ионами цинка кварцевое стекло](/img/empty.gif)
Имплантированное ионами цинка кварцевое стекло
Изобретение относится к кварцевым стеклам, имплантированным ионами цинка, и может быть использовано при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств, в частности микроминиатюрных источников света для планарных тонкопленочных волноводных систем и оптических интегральных схем. Кварцевое стекло представляет собой основу из диоксида кремния с модифицированным поверхностным слоем, в...
2585009