Соотс Регина Альфредовна (RU)

Использование: в технологии изготовления приборов микро-, наноэлектроники и наноэлектромеханики. Сущность изобретения: селективный травитель слоев AlAs, AlGaAs относительно GaAs содержит иод (I2), органический растворитель, в котором растворен иод (I2), причем указанные компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%: иод - 0,1÷4, органический растворитель - 96÷99,9. При этом в кач...

Использование: в полупроводниковой технологии наноприборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si для обеспечения проводимости нанослоев. Сущность изобретения: в способе электрической пассивации поверхности полупроводника проводят подготовку поверхности полупроводника к пассивированию, промежуточную пассивацию, обеспечивающую условия для осаждения пассивирующего монослоя, и нанесение монослоя 1...

Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой. После этого на вспомогательной для переноса графенового слоя пленке создают натягивающую рамку, предотвра...

Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов. Сначала подготавливают суспензию графена с его концентрацией 0,01-10 мг/мл. Полученную суспензию графена фторируют при температуре 60-80 °С в растворе...

Изобретение относится к электронике и нанотехнологии и может быть использовано в 2D-печати. Сначала получают графеновые частицы электрохимическим расслоением графита, характеризующегося массой чешуек около 10 мг, в жидкой фазе с использованием в качестве электролита водного 0,00005-0,05 М раствора (NH4)2S2O8, в течение 10 мин и менее, при напряжении не более 15 В и подаче на графитовый электрод...