Бойко Владимир Иванович (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию...

Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ пайки кристаллов на основе карбида кремния, включающий формирование на паяемой стороне кристалла двухслойного покрытия никель/серебро и пайку к основанию корпуса из металлизированного нитрида алюминия. На паяемые поверхности кристалла и корпуса наносят адгезионный слой, а затем...

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при проектировании осветительных приборов, в конструкции которых задействованы энергосберегающие светодиодные модули. Технический результат заключается в повышении эффективности охлаждения светодиодов блока, улучшении массогабаритных показателей и снижении себестоимости всего изделия. Устройство содержит светодиодный блок, в...

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при проектировании осветительных приборов, в конструкции которых задействованы энергосберегающие светодиодные модули. Технический результат заключается в повышении надежности и увеличении рабочего ресурса устройства. Устройство состоит из светодиодной матрицы, подсоединенной через регулирующий ключ к источнику напряжения ста...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий, имеющих большую площадь кристаллов. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит кремниевый кристалл и медный корпус между которыми установлен буферный элемент с образованием паяного шва, при этом буферный элемент выполнен в виде сетки, нижняя сторона которой представляет набор проволок из меди и...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают мето...

Настоящее изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано, в частности, для создания источников питания с увеличенной выходной мощностью, малыми потерями и улучшенными параметрами электромагнитной совместимости. Технический результат достигается тем, что фазосдвигающий инверторный преобразователь, содержащий ведущий и ведомый полумостовые инверторы, трансформатор сод...

Изобретение относится к оборудованию для очистки внутренней полости резервуаров, в частности железнодорожных цистерн, от вязких отложений нефти и нефтепродуктов. Эжекторное устройство выполнено в виде гидромонитора и содержит по меньшей мере одну полую штангу с установленным на ее конце эжекторным насадком. Насадок содержит корпус с крышкой, включающий внутреннюю полость и внешнюю кольцевую камеру...

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной...