Манжа Николай Михайлович (RU)

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, а именно, к производству больших интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией. Сущность: способ включает формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+ -стопорных об...

 Изобретение относится к технологии изготовления биполярных планарных транзисторов с полным диффузионным эмиттером. Сущность: способ включает создание коллектора, базы транзистора, нанесение двухслойной маски, нижний слой которой является двуокисью кремния. Затем осуществляется вытравливание в маске эмиттерного окна, боковое подтравливание двуокиси кремния с образованием полости под вторым...

 Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных схем, в частности, к способам изготовления приборов с использованием эпитаксиального наращивания кремния в атмосфере водорода. Сущность: способ включает создание в кремнии р-типа проводимости областей n-типа проводимости, легирование поверхности акцепторной примесью, окисление, вскрытие в окисле окон и эпит...

Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости на...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и затвор из третьего слоя поликристаллического кремния; второй МОП-транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления самосовмещенных БиКМОП структур в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного БиКМОП прибора окна под все области биполярных и МОП транзисторов, а также изолирующих областей вскрывают одновременно в третьем, во втором диэлектрических слоях и первом слое поликристакллического кремния до первого диэлектрического...

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов. Сущность изобретения: в способе формирования затворных областей КМОП-транзисторов, включающем формирование в подложке первого типа проводимости областей второго типа проводимости, противоканальных областей, диэлектрической изоляции, подзатворного диоксида кремния, осаждение слоя поликристалличес...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении. Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении включает камеру осаждения, состоящую из внутреннего реактора в виде горизонтальной трубы с продольными отверстиями, равномерно расположенными в шахматном порядке на ее стенк...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления МОП и биполярных транзисторов в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП транзисторов с приподнятыми электродами после вскрытия окон под сток-истоковые области и формирования разделительного диэлектрика на стенках окон, формируют на стенках окон аморфный кремний, монокристаллические электроды в сток-истоковых окнах форм...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора формируют дополнительный локальный экранирующий слой на месте будущего контакта к пассивной области базы, формируют пассивную область базы под защитой локальных экранирующих слоев, формируют третий изолирующий диэ...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных микросхем (ИМС). Сущность изобретения: в способе самосовмещенного формирования изоляции элементов ИМС и поликремниевых контактов к подложке и n+ - скрытому слою на полупроводниковой подложке со сплошным скрытым и эпитаксиальным слоями формируют первый и второй диэлектрические слои, в которых фотолитографией вскрывают окно на м...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур включает формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости сплошного скрытого слоя второго типа проводимости, формирование на полупроводниковой подложке эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование первого диэлектрика, легирование эпитаксиал...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самомасштабируемой самосовмещенной транзисторной структуры включает формирование на подложке первого типа проводимости первого диэлектрического слоя, сплошного введения примеси второго типа проводимости с последующим отжигом для формирования коллекторной области, формирование на первом диэлектрическом слое первого...

Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. Сущность изобретения: в способе получения нанослоев на сформированном на подложке первом жертвенном слое формируют второй жертвенный слой, наносят фоторезист, формируют в фоторезисте окно, травят второй и первый жертвенные слои до подложки в окнах фоторезиста, после чего формируют нанослой, удаляют нанослой и второй жертвен...

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем. Для получения слоя диоксида кремния загружают кассеты с кремниевыми подложками через открытую вакуумную заслонку в камеру осаждения реактора, закрывают вакуумную заслонку, проводят откачку реактора до 300-400 Па через байпасную линию, открывают вакуумный затвор, подают инертный газ в реактор, отключают...

Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве. Реактор в виде горизонтальной трубы, герметизированный от атмосферы, включает нагреватель, вводы для газов, откачной трубопровод с затвором и клапаном медленной откачки, вакуумны...

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника, самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор может быть использован в производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: у самосовмещенного, высоковольтного транзистора р-n переходы сформированы в объеме полупроводниковой подложки без выхода на поверхность, а контакты к областям транзистора, изолированные в вертика...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор содержит коллекторную область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, в слабо легирован...

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, эти области окружены щелевой комбинированной...