Иовдальский Виктор Анатольевич (RU)

Изобретение относится к способам изготовления волноводных узлов устройств СВЧ и КВЧ диапазонов. Техническим результатом является снижение трудоемкости и стоимости изготовления, а также повышение надежности. Заданную конфигурацию диэлектрической пластины задают вакуумным напылением металлизационного покрытия из двух слоев, адгезионного и проводящего, с суммарной толщиной 0.5-10 мкм с последующей фо...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к гибридным интегральным схемам СВЧ-диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение надежности гибридной интегральной схемы СВЧ как за счет повышения механической прочности соединений, так и за счет улучшения теплоотвода от кристалла полупроводникового прибора. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона...

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и расширение функциональных возможностей при сохранении электрических характеристик за счет уменьшения площади, занимаемой элементами гибридной интегральной схемы и их соединениями. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапаз...

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к конструированию мощных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом является улучшение теплоотвода и электрических характеристик гибридной интегральной схемы. Устройство содержит транзисторы, которые выполнены в виде кристаллов с плоскими балочными выводами. На металлическом теплоотводящем основании выполнен высту...

Изобретение относится к электронной технике, а именно гибридным интегральным схемам СВЧ диапазона. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик, повышение технологичности при расширении функциональных возможностей гибридной интегральной схемы СВЧ диапазона, при сохранении ее прочности. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ ди...

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающем изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной монтажной площадки для расположения, по крайней мере, одного кристалла навесного компонента, расположение, совмещ...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение теплоотвода от кристаллов транзисторов, улучшение электрических и массогабаритных характеристик, а также повышение технологичности мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: мощная гибри...

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, соединенную с экранной заземляющей металлизацией,...

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик, снижение трудоемкости изготовления и повышение надежности гибридной интегральной схемы. Сущность изобретения: способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металли...

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящ...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона приемопередающего модуля активной фазированной антенной решетки, а также повышение ее технологичности. Сущность изобретения: гибридная...

Изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона. Изобретение позволяет увеличить угол обзора, повысить точность определения координат цели и повысить потенциал системы (дальность обнаружения цели) приемопередающего модуля активной фазированной антенной решетки. Приемопередающий модуль активн...

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик за счет оптимизации конфигурации выводов и, как следствие, снижение потерь мощности сигнала на СВЧ. Сущность изобретения: в выводной рамке для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящей из нескольких выводов, с внешними и внутренними концами, толщина выводной рамки...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности конструкции схемы, улучшение электрических характеристик и теплоотвода от кристаллов транзисторов. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение технологичности гибридной интегральной схемы. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной...

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных схем СВЧ и в том числе мощных путем повышения эффективности отвода тепла. Достигается тем, что в гибридно...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на...

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозны...

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлиз...

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик. Достигается тем, что способом изготовления мощной гибридной интегральной с...

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и пр...