Скрипаль Александр Владимирович (RU)
Изобретатель Скрипаль Александр Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
![Автодинный измеритель качества воды Автодинный измеритель качества воды](https://img.patentdb.ru/i/200x200/31bbc79934ae46f944798ff6042904c7.jpg)
Автодинный измеритель качества воды
Изобретение относится к области санитарной гигиены и промышленной экологии и может быть использовано для определения концентрации растворенных в воде солей. Технический результат изобретения - повышение линейности характеристики устройства, повышение точности и стабильности измерений. Сущность: измеритель качества воды содержит расположенные в корпусе автодинный генератор переменного сигнала, датч...
2290629![Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма](/img/empty.gif)
Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма
Способ включает излучение электромагнитного сигнала, прием отраженного сигнала, определение параметров организма. Перед определением параметров отраженный сигнал когерентно складывают с излучаемым электромагнитным сигналом, выделяют основную гармонику в спектре сложенного сигнала, по которой определяют частоту движения организма, а по величине гармоник, входящих в спектр, определяют амплитуду движ...
2295911![Способ измерения параметров структуры "металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка" Способ измерения параметров структуры "металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка"](/img/empty.gif)
Способ измерения параметров структуры "металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка"
Изобретение относится к области технологии тонких пленок и многослойных наноструктур. Технический результат: расширение диапазона измеряемых толщин и класса исследуемых материалов и увеличение чувствительности. Сущность: облучают структуру типа «металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка» СВЧ излучением с помощью волноведущей системы. При этом перед структурой размещают...
2326368![Измеритель качества воды Измеритель качества воды](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4d706d890b8f0322564f753c3b072fc2.jpg)
Измеритель качества воды
Изобретение относится к области санитарной гигиены и промышленной экологии и может быть использовано для определения концентрации растворенных в воде солей. Измеритель качества воды содержит расположенные в корпусе генератор переменного сигнала, датчик, блок индикации, источник питания, термистор. Дополнительно измеритель содержит микроконтроллер, подключенный к выходу генератора переменного сигна...
2330272![Индикатор качества воды Индикатор качества воды](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d9580516c51b83b077d8cb5766a64dfe.jpg)
Индикатор качества воды
Изобретение может быть использовано для определения концентрации растворенных в воде солей. Устройство индикации качества воды содержит расположенные в корпусе генератор переменного сигнала 1, дифференциальный усилитель 5, нагруженный на прецизионный детектор 6, подключенный к блоку индикации 7, источник питания 10, источник напряжения 2, управляемый напряжением, являющийся нагрузкой генератора 1,...
2332660![Способ измерения электрофизических параметров структуры "нанометровая металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка" Способ измерения электрофизических параметров структуры "нанометровая металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка"](/img/empty.gif)
Способ измерения электрофизических параметров структуры "нанометровая металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка"
Изобретение относится к области технологии тонких пленок и многослойных наноструктур и может быть использовано в микро- и наноэлектронике и оптике. Техническим результатом является расширение диапазона измеряемых толщин и класса исследуемых материалов путем увеличения диапазона изменения коэффициентов отражения и прохождения, а также увеличение чувствительности и возможность проведения измерений в...
2349904![Способ определения частоты и амплитуды биений сердца дафнии Способ определения частоты и амплитуды биений сердца дафнии](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e524615489454a6b89822c8442af8ac6.jpg)
Способ определения частоты и амплитуды биений сердца дафнии
Изобретение относится к области биологии, экологии и кардиологии. Получают последовательность видеокадров увеличенного изображения сердца дафнии. При этом последовательность видеокадров получают в фиксированном с помощью микроскопа поле зрения, вводят видеоматериалы со скоростью 30 кадров в секунду и осуществляют их анализ. На каждом кадре выделяют границы сердца дафнии, определяют площадь, огра...
2357659![Способ очистки водно-этанольных смесей от изопропилового спирта Способ очистки водно-этанольных смесей от изопропилового спирта](/img/empty.gif)
Способ очистки водно-этанольных смесей от изопропилового спирта
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения сорбентов для очистки водных сред от органических примесей. Для осуществления способа очистку водно-этанольной смеси от изопропилового спирта осуществляют пропусканием очищаемой смеси через адсорбент, в качестве которого выбраны нанотрубки, предварительно активированные путем нагрева при температуре 120-150°С в течение...
2359918![Широкополосная волноводная согласованная нагрузка Широкополосная волноводная согласованная нагрузка](/img/empty.gif)
Широкополосная волноводная согласованная нагрузка
Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано как самостоятельно для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта, так и в качестве элементов более сложных функциональных устройств: направленных ответвителей, сумматоров мощности, измерительных мостов, фильтров и т.д. Технический результат заключается в расширении рабочей полосы частот...
2360336![Свч-фильтр с регулируемыми положением частотной области пропускания и величиной пропускания в этой области Свч-фильтр с регулируемыми положением частотной области пропускания и величиной пропускания в этой области](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d5ca8b32f0cda450893cb1e5ab304af5.jpg)
Свч-фильтр с регулируемыми положением частотной области пропускания и величиной пропускания в этой области
Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в частотно-селективных устройствах измерительной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности высокоскоростной селекции сигнала в режиме «на проход». Поставленная задача достигается тем, что в СВЧ фильтре частотно-селективный элемент выполнен в виде одномерного волноводного фотонного кристалла с нарушен...
2407114![Устройство для измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидкости Устройство для измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидкости](/img/empty.gif)
Устройство для измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидкости
Изобретение относится к измерительной технике и служит для измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидких сред. В устройстве для измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидкости, содержащем фотонный кристалл с периодичностью изменения волнового сопротивления в направлении распространения электромагнитного излучения, име...
2419099![Микрополосковый p-i-n-диодный свч-выключатель Микрополосковый p-i-n-диодный свч-выключатель](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e3025a1965bb736bfb4dc4511cf695fe.jpg)
Микрополосковый p-i-n-диодный свч-выключатель
Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы. Задачей настоящего решения является реализация возможности создания микрополосковых узкополосн...
2438214![Сканирующий зондовый микроскоп Сканирующий зондовый микроскоп](/img/empty.gif)
Сканирующий зондовый микроскоп
Изобретение относится к электронно-измерительной технике и нанотехнологиям и предназначено в том числе для использования со сканирующим зондовым микроскопом (СЗМ) при исследовании микро- и нанорельефа поверхности. СЗМ содержит виброизоляционное основание, средство привода точного позиционирования, обеспечивающее детектируемое взаимодействие между зондом и образцом, механизм детектирования зонда и...
2461839![Способ измерения межэлектродного расстояния в электровакуумных приборах Способ измерения межэлектродного расстояния в электровакуумных приборах](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b35b2ff6f0496d2a2f6b3436a1f4bebd.jpg)
Способ измерения межэлектродного расстояния в электровакуумных приборах
Способ включает получение под углом наблюдения α к вертикали, обеспечивающим наблюдение нижнего электрода, цифрового оптического изображения электродов, содержащего калибровочную линейку. На изображении определяют расстояния t1 и t2 между верхней и нижней гранями верхнего и нижнего электрода соответственно и расстояние h между изображениями нижней грани верхнего и верхней грани нижнего электродов...
2468335![Способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" Способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка"](/img/empty.gif)
Способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка"
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка». Способ определения электропроводности и толщины по...
2517200![Устройство для определения параметров металлодиэлектрических структур Устройство для определения параметров металлодиэлектрических структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b97ce3db4109e17b068b96448c12874d.jpg)
Устройство для определения параметров металлодиэлектрических структур
Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для измерения диэлектрической проницаемости и толщин нанометровых проводящих пленок, нанесенных на подложку из диэлектрического материала. Технический результат заключается в повышении чувствительности и расширении функциональных возможностей. Устройство для определения параметров металлодиэлектрических структур, содержащее в...
2534728![Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка](https://img.patentdb.ru/i/200x200/17504b7655a722238eb17042a355c8f2.jpg)
Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка
Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано, в частности, для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта. Технический результат - расширение рабочей полосы частот и уменьшение продольных размеров согласованной нагрузки. Для этого микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополоско...
2546578![Волноводная структура с разрешенными и запрещенными зонами Волноводная структура с разрешенными и запрещенными зонами](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6281f0e23614a53b2b3bf92d4dc98ca3.jpg)
Волноводная структура с разрешенными и запрещенными зонами
Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы. Техническим результатом является создание волноводной СВЧ-структуры с электрически управляемы...
2575995![Низкоразмерный свч фотонный кристалл Низкоразмерный свч фотонный кристалл](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3d6cbe6cacb7c4940b4b775ea4de31fb.jpg)
Низкоразмерный свч фотонный кристалл
Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в устройствах измерительной техники. Технический результат - уменьшение продольного размера фотонного кристалла вдоль направления распространения электромагнитной волны до величины, меньшей длины волны основного типа. Для этого в качестве элементов волноводного СВЧ фотонного кристалла, образующих периодическую последовательность, ис...
2587405![Волноводная согласованная нагрузка Волноводная согласованная нагрузка](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3db2abef3376e89cc27525655e52da96.jpg)
Волноводная согласованная нагрузка
Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств. Волноводная согласованная нагрузка включает размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода первый и второй относительно нап...
2601612![Способ измерения параметров полупроводниковых структур Способ измерения параметров полупроводниковых структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b54aa1af874a56123458bbd66e809d18.jpg)
Способ измерения параметров полупроводниковых структур
Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров полупроводниковой структуры, состоящей из полуизолирующей подложки с нанесенным на нее сильнолегированным слое...
2622600![Умножитель частоты высокой кратности Умножитель частоты высокой кратности](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b378bfacf465f8b3b6b6d77e6587cf23.jpg)
Умножитель частоты высокой кратности
Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к СВЧ-умножителям частоты высокой кратности, применяемым для получения сигнала высокой частоты с низким уровнем фазового шума в выходном сигнале. Технический результат заключается в расширении арсенала средств. Умножитель частоты включает согласующую цепь входного сигнала, на входе которой стоит первый конденсатор, параллельно которому на землю...
2628993![Свч фотонный кристалл Свч фотонный кристалл](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c7d15b96f9c6ca0eb2763c6d0c2d4920.jpg)
Свч фотонный кристалл
Использование: для измерений с использованием СВЧ техники. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ фотонный кристалл выполнен в виде прямоугольного волновода, содержащего четные и нечетные элементы, периодически чередующиеся в направлении распространения электромагнитного излучения, нечетные элементы фотонного кристалла выполнены в виде прямоугольных металлических резонансных диафрагм с пр...
2658113