Шустин Евгений Германович (RU)

Изобретение относится к технологии производства приборов полупроводниковой электроники, в частности к способам травления структур на поверхности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: плазмохимическое травление материала осуществляют путем воздействия на его поверхность потока ионов из плазмы, образованной из рабочего газа, заполняющего вакуумированную камеру, при этом для генерации плаз...

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения: в способе получения атомно-тонких монокристаллических пленок, включающем выделение тонких монокристаллических фрагментов из исходных слоистых монокристаллов, соединение их с рабочей подложкой и формирование атомно-тонк...

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок включает фиксацию исходных слоистых монокристаллов на подложке с помощью адгезионного слоя, последовательное отщепление от них слоистых ф...