Томашпольский Юрий Яковлевич (RU)
Изобретатель Томашпольский Юрий Яковлевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения эпитаксиальных пленок
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения эпитаксиальных пленок, заключающемся в создании на поверхности монокристаллических подложек слоев пленки с измененным...
2330350Способ получения эпитаксиальных пленок оксидных соединений
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных оксидных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения эпитаксиальных пленок оксидных соединений, заключающемся в создании на поверхности монокристаллических подло...
2330351Способ выращивания пленки нитрида галлия
Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида галлия путем автосегрегации на поверхности подложки-полупроводника из арсенида галлия и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов, а также сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности. Подложку помещают в атмосферу прокачиваемого со скоростью 5-10 л/ч газа в виде газообразного а...
2578870