Антонова Ирина Вениаминовна (RU)
Изобретатель Антонова Ирина Вениаминовна (RU) является автором следующих патентов:
Способ электрической пассивации поверхности полупроводника
Использование: в полупроводниковой технологии наноприборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si для обеспечения проводимости нанослоев. Сущность изобретения: в способе электрической пассивации поверхности полупроводника проводят подготовку поверхности полупроводника к пассивированию, промежуточную пассивацию, обеспечивающую условия для осаждения пассивирующего монослоя, и нанесение монослоя 1...
2341848Способ получения слоя фторографена
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем проводят операцию фторирования с использованием плавиковой кислоты при условиях, обеспечивающих получени...
2511613Способ получения приборных графеновых структур
Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой. После этого на вспомогательной для переноса графенового слоя пленке создают натягивающую рамку, предотвра...
2538040Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но способствующий расслоению графита, например диметилформамид или N-метилпирролидон. Для расслоения частиц графита...
2603160Способ изготовления суспензии для 2d печати диэлектрических слоев на основе фторографена
Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов. Сначала подготавливают суспензию графена с его концентрацией 0,01-10 мг/мл. Полученную суспензию графена фторируют при температуре 60-80 °С в растворе...
2620123Способ получения водной суспензии графена для проводящих чернил
Изобретение относится к электронике и нанотехнологии и может быть использовано в 2D-печати. Сначала получают графеновые частицы электрохимическим расслоением графита, характеризующегося массой чешуек около 10 мг, в жидкой фазе с использованием в качестве электролита водного 0,00005-0,05 М раствора (NH4)2S2O8, в течение 10 мин и менее, при напряжении не более 15 В и подаче на графитовый электрод...
2665397