Ковчавцев Анатолий Петрович (RU)
Изобретатель Ковчавцев Анатолий Петрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов. Затем на подложке в окнах...
2354007
Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осу...
2367055
Криостат для приемника инфракрасного излучения
Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с заливной горловиной, на внешней поверхности которого размещена охлаждаемая платформа, или стыкуемым с микрокриоге...
2406946
Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 содержит полупроводниковую подложку А3В5, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в...
2420828
Криостат для приемника инфракрасного излучения
Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой в рабочей камере и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с контейнером под сорбент, имеющим с баллоном общую стенку. Общая стенка снабжена отверстием для...
2488192
Заливной криостат для приемника инфракрасного излучения
Изобретение относится к конструктивным элементам регистрирующей техники. Криостат содержит корпус с входным окном, рабочую камеру с охлаждаемой платформой, заливной узел криостатирования охлаждаемой платформы в виде баллона для сжиженного газа, дренажную трубку для выхода паров выкипающего газа. Дренажной трубкой снабжен баллон для сжиженного газа. Трубка выполнена с возможностью размещения ее х...
2492435
Способ сборки мозаичного фотоприемного модуля большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы. Располагают фотоприемные модули каждой группы в ряд, формируя параллельные ряды. Фотоприемные модули меньшей площади со схемой считывания, выполненной из одного мат...
2571452