PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ковчавцев Анатолий Петрович (RU)

Изобретатель Ковчавцев Анатолий Петрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур

Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов. Затем на подложке в окнах...

2354007

Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников

Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осу...

2367055

Криостат для приемника инфракрасного излучения

Криостат для приемника инфракрасного излучения

Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с заливной горловиной, на внешней поверхности которого размещена охлаждаемая платформа, или стыкуемым с микрокриоге...

2406946

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 содержит полупроводниковую подложку А3В5, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в...

2420828

Криостат для приемника инфракрасного излучения

Криостат для приемника инфракрасного излучения

Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой в рабочей камере и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с контейнером под сорбент, имеющим с баллоном общую стенку. Общая стенка снабжена отверстием для...

2488192


Заливной криостат для приемника инфракрасного излучения

Заливной криостат для приемника инфракрасного излучения

Изобретение относится к конструктивным элементам регистрирующей техники. Криостат содержит корпус с входным окном, рабочую камеру с охлаждаемой платформой, заливной узел криостатирования охлаждаемой платформы в виде баллона для сжиженного газа, дренажную трубку для выхода паров выкипающего газа. Дренажной трубкой снабжен баллон для сжиженного газа. Трубка выполнена с возможностью размещения ее х...

2492435

Способ сборки мозаичного фотоприемного модуля большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади

Способ сборки мозаичного фотоприемного модуля большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы. Располагают фотоприемные модули каждой группы в ряд, формируя параллельные ряды. Фотоприемные модули меньшей площади со схемой считывания, выполненной из одного мат...

2571452