Ковчавцев Анатолий Петрович (RU)
Изобретатель Ковчавцев Анатолий Петрович (RU) является автором следующих патентов:
Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов. Затем на подложке в окнах...
2354007Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осу...
2367055Криостат для приемника инфракрасного излучения
Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с заливной горловиной, на внешней поверхности которого размещена охлаждаемая платформа, или стыкуемым с микрокриоге...
2406946Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 содержит полупроводниковую подложку А3В5, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в...
2420828Криостат для приемника инфракрасного излучения
Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой в рабочей камере и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с контейнером под сорбент, имеющим с баллоном общую стенку. Общая стенка снабжена отверстием для...
2488192Заливной криостат для приемника инфракрасного излучения
Изобретение относится к конструктивным элементам регистрирующей техники. Криостат содержит корпус с входным окном, рабочую камеру с охлаждаемой платформой, заливной узел криостатирования охлаждаемой платформы в виде баллона для сжиженного газа, дренажную трубку для выхода паров выкипающего газа. Дренажной трубкой снабжен баллон для сжиженного газа. Трубка выполнена с возможностью размещения ее х...
2492435Способ сборки мозаичного фотоприемного модуля большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы. Располагают фотоприемные модули каждой группы в ряд, формируя параллельные ряды. Фотоприемные модули меньшей площади со схемой считывания, выполненной из одного мат...
2571452