Ильинская Наталья Дмитриевна (RU)

Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Раз...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы методом химического травления, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и...

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния. Сущность изобретения: интегрированный Шоттки-рn диод на основе карбида кремния включает сильнолегированную подложку из карбида кремния n-типа и эпитаксиальный слой из карбида кремния n-типа толщиной (10-13)мкм с концентрацией прим...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление поверхности структуры фотоэлектрического преобразователя. Затем последовательно напыляют на протравленную п...

Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, па...

Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под светочувствительной областью полупроводниковой пластины, или полного стравливания германиевой подложки верхнего солнечного элемента и механической стыковки с нижн...

Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния включает создание р-областей с прямоугольным профилем легирован...

Способ получения чипов солнечных фотоэлементов относится к солнечной энергетике и может быть использован в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ заключается в нанесении омических контактов на фронтальную и тыльную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последователь...

Солнечный фотоэлектрический субмодуль содержит концентратор солнечного излучения и фотоэлемент с контактными полосками на фронтальной фоточувствительной поверхности фотоэлемента. Контактные полоски имеют в поперечном сечении вид трапеции с большим тыльным основанием, прилегающим к фронтальной поверхности фотоэлемента, боковые поверхности контактных полосок выполнены зеркальными. Ширина W1 тыльног...

Изобретение представляет собой высокоэффективный полупроводниковый фотодиод для детектирования ИК-излучения, который содержит содержит две сформированные на подложке мезы, поверхность одной из которых является чувствительной площадкой, а другой является контактной, тыльный и фронтальный омические контакты. Тыльный контакт выполнен сплошным и нанесен со стороны подложки, а фронтальный выполнен в в...

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Способ изготовления чипов наногетероструктуры, выращенных на германиевой подложке, включает нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную пове...

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное создание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя. Способ также включает создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной...

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях...

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Напыляют основу...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре и может быть использовано, например, в устройствах, измеряющих характеристики сред, содержащих газообразные углеводороды, и в волоконно-оптических датчиках, измеряющих состав жидкости по методу исчезающей волны, для которых указанная полоса со...

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение просветляющего покрытия на фронтальную поверхность гетероструктуры, создание разделительной мезы через маску фотор...

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода,...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра согласно изобретению включает изготовление многослойной эпитаксиальной гетероструктуры, содержащей подложку из полупроводникового материала A3...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание полупроводниковых слоев, по крайней мере один из которых поглощает/излучает кванты с энергией 0.2-0.6 эВ, проведение фото...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявлени...