Калюжный Николай Александрович (RU)
Изобретатель Калюжный Николай Александрович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0891c4bd69559c411161f0dda1499c47.jpg)
Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры
Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Раз...
2354009![Многослойный фотопреобразователь Многослойный фотопреобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ece155f7eacf6f9017ea45643a709907.jpg)
Многослойный фотопреобразователь
Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к многопереходным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют энергию солнечного излучения в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Сущность изобретения: многослойный фотопреобразователь содержит последовательно расположенные сплош...
2364007![Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя](https://img.patentdb.ru/i/200x200/9129312727fd533f3f053b28097f7db9.jpg)
Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя
Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH3) и источника p-примеси, базы из TMGa и AsH3 и источника p-примеси, эмиттера из TMGa и AsH3 и источника n-примеси, широкозонного окна...
2366035![Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b4db56d25dccce27e99a4c152b94bc37.jpg)
Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы методом химического травления, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и...
2368038![Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3746bcf4b556d57673b3036156f665b7.jpg)
Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления
Согласно изобретению каскадный фотопреобразователь содержит эпитаксиальную структуру, тыльный металлический контакт и лицевую металлическую контактную сетку, а так же антиотражающее покрытие, при этом эпитаксиальная структура включает последовательно выращиваемые методом MOC-гидридной эпитаксии на подложке p-Ge нуклеационный слой n-Ga0,51In0,49P толщиной 170÷180 нм, буферный слой Ga0,99In0,01As т...
2382439![Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей](https://img.patentdb.ru/i/200x200/979a49b4d364f6bbe855ae68356cb034.jpg)
Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей
Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, па...
2391744![Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f71d5948bc2a1e95454706fd53304dd5.jpg)
Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты)
Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под светочувствительной областью полупроводниковой пластины, или полного стравливания германиевой подложки верхнего солнечного элемента и механической стыковки с нижн...
2391745![Способ получения чипов солнечных фотоэлементов Способ получения чипов солнечных фотоэлементов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/19af616fed23edeb57261d4b1adc70ac.jpg)
Способ получения чипов солнечных фотоэлементов
Способ получения чипов солнечных фотоэлементов относится к солнечной энергетике и может быть использован в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ заключается в нанесении омических контактов на фронтальную и тыльную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы...
2419918![Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия](/img/empty.gif)
Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряд...
2428766![Способ изготовления чипов концентраторных солнечных фотоэлементов Способ изготовления чипов концентраторных солнечных фотоэлементов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/68a6ce4d689dc5b8025a53fa9a29089a.jpg)
Способ изготовления чипов концентраторных солнечных фотоэлементов
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последователь...
2436194![Многопереходный преобразователь Многопереходный преобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f9e55e3400be2a6f718e0e2ea213a1ab.jpg)
Многопереходный преобразователь
Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях. Сущность изобретения: многопереходный фотопреобразователь содержит полупроводниковую подложку и включает, по меньшей мере, два полупроводниковых p-n-перехода, состоящих, по меньшей мере,...
2442242![Концентраторный каскадный фотопреобразователь Концентраторный каскадный фотопреобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/9cf3c6c3bc041656f0cc6a5e2f09b449.jpg)
Концентраторный каскадный фотопреобразователь
Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к концентраторным каскадным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют концентрированное солнечное излучение в электроэнергию. Концентраторный каскадный фотопреобразователь содержит подложку (1) p-Ge, в которой создан нижний p-n переход (2), и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой (3) n-Ga0,51In0,4...
2515210![Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры galnp/galnas/ge Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры galnp/galnas/ge](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4245dabb13b64c050c4dcfa15fcaf11a.jpg)
Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры galnp/galnas/ge
Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Напыляют основу...
2528277![Многопереходный солнечный элемент Многопереходный солнечный элемент](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f0943cdf8918f91f3f5a67f1de24f3ee.jpg)
Многопереходный солнечный элемент
Многопереходный солнечный элемент содержит подложку p-Ge (1), в которой создан нижний p-n переход (2), и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой (3) n-Ga0,51In0,49P, буферный слой (4) n-Ga0,99In0,01As, нижний туннельный диод (5), средний p-n переход (6), содержащий слой тыльного потенциального барьера (7), базовый (9) и эмиттерный (11) слои, а также широкозонное окно (12), верх...
2539102![Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4fc9fa1f1c94bf93cd978357543108e5.jpg)
Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности
Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности для использования в различных оптоэлектронных устройствах. Способ формирования массива квантовых точек высокой плотности включает три этапа. На первом происходит формирование зародышевого ряда квантовых точек в режиме субмонослойного осаждения, т.е. последовательного осаждения нескольких слоев напряженного материала, толщина каждо...
2543696![Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2283b39d4391ef4da269e41004c1ad77.jpg)
Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств
Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств состоит из полупроводниковой подложки (1) с лицевой поверхностью, разориентированной от плоскости (100) на (0,5-10) градусов и, по меньшей мере, одного р-n перехода (2), включающего, по меньшей мере, один активный полупроводниковый слой (3), заключенный между двумя барьерными слоями (4) с шириной запрещенной зоны Eg0...
2558264![Способ изготовления многопереходного солнечного элемента Способ изготовления многопереходного солнечного элемента](/img/empty.gif)
Способ изготовления многопереходного солнечного элемента
Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода,...
2589464![Метаморфный фотопреобразователь Метаморфный фотопреобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/68778532b7fd767401a35d0b7adedbae.jpg)
Метаморфный фотопреобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания солнечных элементов. Метаморфный фотопреобразователь включает подложку (1) из GaAs, метаморфный буферный слой (2) и по меньшей мере один фотоактивный p-n-переход (3), выполненный из InGaAs и включающий базовый слой (4) и эмиттерный слой (5), слой (6) широкозонного окна из In(AlxGa1-x)As, где x=0,2-0,5, и к...
2611569![Фотопреобразователь лазерного излучения Фотопреобразователь лазерного излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f52d2ad67811cd501b81616ee6b48ad1.jpg)
Фотопреобразователь лазерного излучения
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlyGa1-yAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (...
2646547