Малевская Александра Вячеславовна (RU)

Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Раз...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы методом химического травления, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и...

Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, па...

Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под светочувствительной областью полупроводниковой пластины, или полного стравливания германиевой подложки верхнего солнечного элемента и механической стыковки с нижн...

Способ получения чипов солнечных фотоэлементов относится к солнечной энергетике и может быть использован в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ заключается в нанесении омических контактов на фронтальную и тыльную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы...

Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием изготовлен на основе многослойной полупроводниковой структуры AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge. Фотоэлектрический преобразователь содержит тыльный и лицевой омические контакты и многослойное наноструктурное просветляющее покрытие, сформированное на фронтальной поверхности структуры в свободных от омических контактов ме...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последователь...

Солнечный фотоэлектрический субмодуль содержит концентратор солнечного излучения и фотоэлемент с контактными полосками на фронтальной фоточувствительной поверхности фотоэлемента. Контактные полоски имеют в поперечном сечении вид трапеции с большим тыльным основанием, прилегающим к фронтальной поверхности фотоэлемента, боковые поверхности контактных полосок выполнены зеркальными. Ширина W1 тыльног...

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Способ изготовления чипов наногетероструктуры, выращенных на германиевой подложке, включает нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную пове...

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное создание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя. Способ также включает создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной...

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях...

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Напыляют основу...

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение просветляющего покрытия на фронтальную поверхность гетероструктуры, создание разделительной мезы через маску фотор...

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода,...