Громов Дмитрий Геннадьевич (RU)

Использование: энергетика, радио-, электронная промышленность, приборостроение, где используются автономные маломощные источники питания. В способе изготовления солнечного элемента с барьером Шотки, включающем осаждение на проводящую подложку или любую подложку с проводящим слоем базового слоя полупроводникового материала, рекристаллизацию указанного полупроводникового материала указанного базов...

Изобретение относится к пьезоэлектронике и может быть использовано в миниатюрных преобразователях механической энергии в электрическую и электрической энергии с механическую, датчиках перемещений, звукоизлучающих устройствах, исполнительных и регистрирующих элементах микроэлектромеханических систем. Сущность: прибор содержит подложку, пьезоэлектрический элемент, содержащий две или более пьезоэлек...

Применение: микро- и наноэлектроника, микросистемная техника и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора включает формирование в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, контактных колодцев и траншей под будущие проводники-межсоединения, после...

Применение: микро- и наноэлектроника, где упорядоченные наноструктуры могут использоваться в качестве эмиссионных катодов, штампов наноимпринтлитографии, калибраторов атомных силовых микроскопов, катализаторов для выращивания углеродных наноструктур и т.д. Сущность изобретения: в способе изготовления упорядоченных наноструктур, включающем формирование упорядоченно расположенных областей на поверх...

Изобретение относится к области микро- и наноэлеткроники, где используются кратковременные и комбинированные источники тока. В частности, изобретение может быть использовано в качестве накопителя энергии. Способ изготовления планарного конденсатора повышенной емкости включает создание первого электрода путем формирования проводящего слоя с развитой поверхностью на проводящей электродно...

Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что формируют в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, углубления под будущие проводники-межсоединения, формируют частицы нанометрового размера, выращивают наноматериал на указанных частицах нанометрового размер...

Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов, включающий формирование частиц нанометрового размера на поверхности, выращивание наноматериала на указанных частицах нанометрового размера, осаждение на подложку проводящего материала, формиро...

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Сущность: способ получения термоэлектрического элемента включает подготовку верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание системы контактных слоев между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Систему контактных слоев о...

Изобретение относится к термоэлектрическим источникам питания. Сущность изобретения: автономный портативный термоэлектрический источник питания включает термоэлектрическое устройство, преобразующее тепло в электричество, источник тепла, находящийся в тепловом контакте с нагреваемой стороной термоэлектрического устройства, теплообменник, находящийся в тепловом контакте с охлаждаемой стороной термоэ...