PatentDB.ru — поиск по патентным документам

НОМУРА Кендзи (JP)

Изобретатель НОМУРА Кендзи (JP) является автором следующих патентов:

Светоизлучающее устройство

Светоизлучающее устройство

Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит светоизлучающий элемент с первым и вторым электродами и светоизлучающим слоем, находящимся между первым и вторым электродами, полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, активный слой которого сформирован из аморфного оксида, имеющего концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3. Также предложены еще два вариант...

2358354

Полевой транзистор

Полевой транзистор

Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 1018/см3 и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных...

2358355

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере...

2369940

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0≤Х≤2, 0≤Y≤1, и m представляет собой 0 или натураль...

2399989

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: в аморфный оксид, состав которого изменяется в направлении толщины слоя, содержит соединение, имеющее в кристаллическом состоянии состав, представленный формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 - элемент группы II с атомным номером меньше, чем у Zn (например, Mg или Са), М3 - элемент группы...

2402106


Гидро(пневмо)цилиндр

Гидро(пневмо)цилиндр

В гидро(пневмо)цилиндре (10) на первом кольцеобразном выступе (34) крышки (14) головки с возможностью свободного монтажа и демонтажа установлено первое позиционирующее кольцо (26), а на втором кольцеобразном выступе (48) крышки (16) штока с возможностью свободного монтажа и демонтажа установлено второе позиционирующее кольцо (28). Со стороны внешних окружных поверхностей первого и второго позицион...

2622214

Гидро(пневмо)цилиндр

Гидро(пневмо)цилиндр

Гидро(пневмо)цилиндр предназначен для перемещения исполнительного механизма из одного положения в другое. Гидро(пневмо)цилиндр (10) включает в себя множество ступенчатых участков (28а, 30а, 32а, 34а) с первого по четвертый, располагающихся в первом замковом стыковом соединительном узле (26) крышки (14) головки, а также множество ступенчатых участков (28b, 30b, 32b, 34b) с первого по четвертый, рас...

2622992