Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
Патент 2369940
Авторы
Правообладатели
Классы МПК
Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
Иллюстрации
Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой. Техническим результатом изобретения является получение аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования его в активном слое тонкопленочного транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.
Реферат
Текст описания приведен в факсимильном виде.
1. Аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.
2. Аморфный оксид по п.1, в котором аморфный оксид выбирают из группы, состоящей из: оксида, содержащего In, Zn и Sn; оксида, содержащего In и Zn; оксида, содержащего In и Sn; и оксида, содержащего In.
3. Аморфный оксид по п.1, содержащий In, Ga и Zn.
4. Аморфный оксид по п.1, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.
5. Полевой транзистор, содержащий активный слой из аморфного оксида, содержащего по меньшей мере один микрокристалл и электрод затвора, сформированный таким образом, что он обращен к активному слою через изолятор затвора, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.
6. Полевой транзистор по п.5, причем транзистор представляет собой транзистор нормально выключенного типа.