САНО Масафуми (JP)

Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 1018/см3 и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных...

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере...

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем активный слой и изолирующую затвор пленку, активный слой содержит слой оксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфную область и кристаллическую область, и при этом кристаллическая область отделена от первой поверхности раздела, которая является пове...

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0≤Х≤2, 0≤Y≤1, и m представляет собой 0 или натураль...

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: в аморфный оксид, состав которого изменяется в направлении толщины слоя, содержит соединение, имеющее в кристаллическом состоянии состав, представленный формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 - элемент группы II с атомным номером меньше, чем у Zn (например, Mg или Са), М3 - элемент группы...

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои которых состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранн...