ТОКИО ИНСТИТЬЮТ ОФ ТЕКНОЛОДЖИ (JP)

Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит светоизлучающий элемент с первым и вторым электродами и светоизлучающим слоем, находящимся между первым и вторым электродами, полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, активный слой которого сформирован из аморфного оксида, имеющего концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3. Также предложены еще два вариант...

Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 1018/см3 и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных...

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере...

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0≤Х≤2, 0≤Y≤1, и m представляет собой 0 или натураль...

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: в аморфный оксид, состав которого изменяется в направлении толщины слоя, содержит соединение, имеющее в кристаллическом состоянии состав, представленный формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 - элемент группы II с атомным номером меньше, чем у Zn (например, Mg или Са), М3 - элемент группы...

Изобретение относится к ядерным реакторам на бегущей (дефлаграционной) волне. Активная зона ядерного реактора содержит сырьевую зону 11, куда загружается свежее топливо, и зону выгорания 12, где топливо выгорает. Плутоний, полученный из урана, распадается для генерации выхода энергии, и зона выгорания 12 перемещается от начала до конца цикла выгорания. При делении активной зоны, которая является...

Изобретение относится к способу скрининга нетератогенного вещества, который включает приведение испытуемого вещества в контакт с цереблоном или фрагментом цереблона, оценку способности испытуемого вещества связываться с цереблоном или фрагментом цереблона и отбор испытуемого вещества, не связывающегося с цереблоном или фрагментом цереблона, или испытуемого вещества, характеризующегося более низк...

Изобретение относится к катализатору синтеза аммиака. Данный катализатор представляет собой нанесенный металлический катализатор, который нанесен на соединение майенитового типа, содержащее электроны проводимости в концентрации 1015 см-3 или более и служащее носителем для катализатора синтеза аммиака. Изобретение также относится к способу получения такого катализатора и способу синтеза аммиака с...

Группа изобретений относится к очистке газа или жидкости от микроорганизмов. Способ уничтожения микроорганизмов в газе или жидкости включает контактирование микроорганизмов в газе или жидкости с материалом, содержащим аморфный углерод, имеющий введенную в него сульфогруппу. Группа изобретений относится также к колонке и фильтру для стерилизации, содержащим указанный материал, и к маске, содержащ...

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении материалов для электроники, электротехники, а также катализаторов. Сначала формируют порошок предшественника соединения типа майенита гидротермальной обработкой смеси порошка исходных материалов соединения типа майенита и воды. Затем формируют порошок соединения типа майенита нагревом и дегидратированием...