НАКАЦУКА Ацуси (JP)

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. Пленка (22) поддерживается между парой подвижных барабанов, расположенных на стороне входа и стороне выхода участка осаждения (25) по отношению к направлению перемещения пленки (22). Затем пленку (22) заставляют перемещаться линейно в место осаждения. Расстояни...

Раскрыт способ изготовления постоянного магнита, имеющего чрезвычайно высокую коэрцитивную силу и высокие магнитные характеристики, с высокой производительностью. В частности, осуществляют: первую стадию обеспечения сцепления по меньшей мере одного из Dy и Tb с по меньшей мере частью поверхности спеченного магнита на основе железа-бора-редкоземельного элемента; и вторую стадию диффундирования по...

Изобретение относится к области изготовления постоянных магнитов, в частности к способу изготовления постоянного магнита с высокими магнитными свойствами, в котором Dy и/или Tb диффундируют в зернограничную фазу спеченного магнита на основе Nd-Fe-B. Предложенный способ обладает высокой производительностью при низкой стоимости и позволяет повысить магнитные свойства постоянных магнитов. Способ вкл...

Изобретение относится к конвейерным устройствам для перемещения пленочной основы при вакуумной обработке, в частности вакуумном осаждении, с последовательным разматыванием и сматыванием пленочной основы. Устройство (10) содержит разматывающий (12) и сматывающий (14) ролики и механизм перемещения. Механизм перемещения включает направляющий узел (20), содержащий направляющий ролик (17А) и вспомогат...

Устройство для вакуумного испарения для создания атмосферы металлических паров в технологической камере и прикрепления металла из металлических паров к поверхности обрабатываемого объекта, а также прикрепления к поверхности обрабатываемого объекта по границам кристаллических зерен атомов металла за счет диффузии. Устройство содержит технологическую печь (11), по меньшей мере, один технологический...

Установка предназначена для вакуумного осаждения металлического слоя на материал основы. Установка (10) включает в себя захватывающее заряды тело (25), размещенное между охлаждающим полым роликом (14) и блоком нейтрализации (23). Захватывающее заряды тело (25) захватывает заряженные частицы из блока нейтрализации (23) к полому ролику (14). Соответственно, натекшие из блока нейтрализации (23) заря...

Предложен постоянный магнит, который получен путем формирования пленки Dy и/или Tb на поверхности спеченного магнита, на основе железо-бор-редкоземельный элемент, с заданной конфигурацией, с последующей диффузией элементов из пленки в кристаллическую зернограничную фазу постоянного магнита. Осаждение испарившихся атомов металлов Dy и/или Tb на поверхность спеченного магнита, для их последующей ди...

Раскрыт способ изготовления постоянного магнита с Dy или Tb, продиффундировавшими в кристаллическую зернограничную фазу спеченного магнита (S). Этот способ не содержит предварительной стадии очистки поверхности спеченного магнита перед сцеплением Dy и/или Tb с поверхностью спеченного магнита, и поэтому производительность улучшается. Получение спеченного магнита с высокими магнитными свойствами за...