Филатов Михаил Юрьевич (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении диффузионных p-i-n диодов с большим уровнем управляемой мощности групповым методом. Сущность изобретения: в способе изготовления кристаллов p-i-n диодов групповым методом создают с одной стороны рабочей пластины кремния с собственным типом проводимости высоколегированный слой p-типа проводимости, уменьшают...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых ограничительных диодов СВЧ-диапазона групповым методом включает формирование на сильнолегированной полупроводниковой подложке эпитаксиального слаболегированного полупроводникового слоя одного типа проводимости с подложкой, защиту его слоем диэлектрика, формирование в полупроводниковой структуре с...

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к представляющему собой меза-структуру с барьером Шоттки полупроводниковому кремниевому диоду, который может быть использован в качестве выпрямительного диода или сверхвысокочастотного детектора, и способу его изготовления. Изобретение обеспечивает создание конструкции и способа изготовления кремниевого диода с барьером Шоттки, позвол...

Изобретение относится к области радиолокации. Достигаемый технический результат изобретения - повышение вероятности обнаружения маневра баллистической ракеты. Указанный результат достигается за счет того, что решение об обнаружении маневра принимают, если отношение разности между оценками второго приращения квадрата дальности, вычисляемыми в «скользящем окне» по двум выборкам квадратов дальности,...

Изобретение относится к области радиолокации. Техническим результатом изобретения является повышение точности определения курса неманеврирующей аэродинамической цели. Указанный результат достигается за счет использования фиксированной выборки квадратов дальности и уменьшения влияния ошибок измерения азимута. Указанный результат достигается за счет того, что определяют путевую скорость путем взве...