PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЧОЙ Вон Чоон (KR)

Изобретатель ЧОЙ Вон Чоон (KR) является автором следующих патентов:

Реактор высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния

Реактор высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния

Изобретение относится к реактору высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния, который содержит трубу реактора, оболочку реактора, окружающую трубу реактора, внутреннюю зону, образованную внутри трубы реактора, и внешнюю зону, образованную между оболочкой реактора и трубой реактора. При этом во внутренней зоне образуется псевдоожиженный сло...

2397952

Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем

Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, элементов солнечных батарей. Реакционная труба расположена внутри корпуса реактора так, что внутреннее пространство корпуса реактора разделяется на внутреннюю зону, образованную внутри реакционной трубы, и внешнюю зону, образованную между корпусом реактора и реакционной трубой. Во внутренней зоне формируют слой частиц...

2397953