ЧОЙ Вон Чоон (KR)
Изобретатель ЧОЙ Вон Чоон (KR) является автором следующих патентов:
![Реактор высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния Реактор высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния](https://img.patentdb.ru/i/200x200/953d19c129fcbbb5744a80a596d0ca09.jpg)
Реактор высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния
Изобретение относится к реактору высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния, который содержит трубу реактора, оболочку реактора, окружающую трубу реактора, внутреннюю зону, образованную внутри трубы реактора, и внешнюю зону, образованную между оболочкой реактора и трубой реактора. При этом во внутренней зоне образуется псевдоожиженный сло...
2397952![Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d8f74fa750acc8ba3cb659a452d0f015.jpg)
Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем
Изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, элементов солнечных батарей. Реакционная труба расположена внутри корпуса реактора так, что внутреннее пространство корпуса реактора разделяется на внутреннюю зону, образованную внутри реакционной трубы, и внешнюю зону, образованную между корпусом реактора и реакционной трубой. Во внутренней зоне формируют слой частиц...
2397953