Пономарев Денис Викторович (RU)
Изобретатель Пономарев Денис Викторович (RU) является автором следующих патентов:
Устройство для измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидкости
Изобретение относится к измерительной технике и служит для измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидких сред. В устройстве для измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь жидкости, содержащем фотонный кристалл с периодичностью изменения волнового сопротивления в направлении распространения электромагнитного излучения, име...
2419099Способ измерения межэлектродного расстояния в электровакуумных приборах
Способ включает получение под углом наблюдения α к вертикали, обеспечивающим наблюдение нижнего электрода, цифрового оптического изображения электродов, содержащего калибровочную линейку. На изображении определяют расстояния t1 и t2 между верхней и нижней гранями верхнего и нижнего электрода соответственно и расстояние h между изображениями нижней грани верхнего и верхней грани нижнего электродов...
2468335Способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка"
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка». Способ определения электропроводности и толщины по...
2517200Волноводная согласованная нагрузка
Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств. Волноводная согласованная нагрузка включает размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода первый и второй относительно нап...
2601612Способ измерения параметров полупроводниковых структур
Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров полупроводниковой структуры, состоящей из полуизолирующей подложки с нанесенным на нее сильнолегированным слое...
2622600