Валеев Адиль Салихович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем. Сущность изобретения: в способе изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС, включающем операции нанесения металлических и диэлектрических слоев, фотолитографию и селективное травление этих слоев, химико-механическую полировку диэлектрических слоев, на пластину кремния, покрытую диэлектриком, с...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с воздушными зазорами включает формирование на подложке первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом слое, формирование вертикальных проводников, путем газофазного осаждения второго проводящего слоя, покрыв...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками содержит формирование первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом слое, формирование на поверхности второго проводящего слоя с заполнением отве...

Изобретение относится к микроэлектронике. Проблемы медной металлизации при уменьшении нормы проектирования: высокая дефектность структуры медных проводников и электромиграция по границе меди с окружающими диэлектриками; быстрое повышение удельного сопротивления при уменьшении ширины проводников; значительное повышение внутриуровневой емкости предлагается решить в способе изготовления усовершенст...

Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин. Электроосаждение меди проводят из электролита меднения, содержащего сульфат меди, спирт этиловый, этилендиамминтетрауксу...

Изобретение относится к электронной технике. Процесс изготовления многокристальных трехмерных ИС методом вертикальной сборки с применением технологии TSV включает в себя формирование в кристаллах на кремниевой пластине сквозных медных проводников с выступами над лицевой или тыльной стороной утоненных пластин. Предлагается одновременно с травлением глубоких вертикальных отверстий (ГВО) в кремнии...

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС многократным повторением процессов изготовления типовых структур, состоящих из медных горизонтальных и вертикальных проводников и окружающих их диэлектрических слоев с низким значением эффективной диэлектрической пост...