Дубков Сергей Владимирович (RU)
Изобретатель Дубков Сергей Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
Способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора
Применение: микро- и наноэлектроника, микросистемная техника и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора включает формирование в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, контактных колодцев и траншей под будущие проводники-межсоединения, после...
2421847Способ изготовления упорядоченных наноструктур
Применение: микро- и наноэлектроника, где упорядоченные наноструктуры могут использоваться в качестве эмиссионных катодов, штампов наноимпринтлитографии, калибраторов атомных силовых микроскопов, катализаторов для выращивания углеродных наноструктур и т.д. Сущность изобретения: в способе изготовления упорядоченных наноструктур, включающем формирование упорядоченно расположенных областей на поверх...
2462785Способ изготовления планарного конденсатора повышенной емкости
Изобретение относится к области микро- и наноэлеткроники, где используются кратковременные и комбинированные источники тока. В частности, изобретение может быть использовано в качестве накопителя энергии. Способ изготовления планарного конденсатора повышенной емкости включает создание первого электрода путем формирования проводящего слоя с развитой поверхностью на проводящей электродно...
2533010Способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов
Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что формируют в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, углубления под будущие проводники-межсоединения, формируют частицы нанометрового размера, выращивают наноматериал на указанных частицах нанометрового размер...
2593415Способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов
Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов, включающий формирование частиц нанометрового размера на поверхности, выращивание наноматериала на указанных частицах нанометрового размера, осаждение на подложку проводящего материала, формиро...
2593416Способ получения термоэлектрического элемента
Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Сущность: способ получения термоэлектрического элемента включает подготовку верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание системы контактных слоев между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Систему контактных слоев о...
2601243Автономный портативный термоэлектрический источник питания
Изобретение относится к термоэлектрическим источникам питания. Сущность изобретения: автономный портативный термоэлектрический источник питания включает термоэлектрическое устройство, преобразующее тепло в электричество, источник тепла, находящийся в тепловом контакте с нагреваемой стороной термоэлектрического устройства, теплообменник, находящийся в тепловом контакте с охлаждаемой стороной термоэ...
2658494