ЧЭНЬ Нань (US)
Изобретатель ЧЭНЬ Нань (US) является автором следующих патентов:
![Улучшение устойчивости считывания памяти с использованием избирательной предварительной зарядки Улучшение устойчивости считывания памяти с использованием избирательной предварительной зарядки](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a2fd3fd224af9430124e79edad33901b.jpg)
Улучшение устойчивости считывания памяти с использованием избирательной предварительной зарядки
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости считывания за счет снижения напряжения разрядной линии. Способ управления устройством памяти, имеющим разрядную линию, включающую в себя первый участок и второй участок, состоящий в том, что предварительно заряжают первый участок разрядной линии до первого напряжения; предварительно заряжают...
2444073![Носитель катализатора и катализаторы, полученные на его основе Носитель катализатора и катализаторы, полученные на его основе](https://img.patentdb.ru/i/200x200/92bd198c1d4b293beaf679660ce9d3bf.jpg)
Носитель катализатора и катализаторы, полученные на его основе
Изобретение относится к нанесенному катализатору для обработки углеводородного сырья с образованием продуктов обработки, который содержит по меньшей мере один металл из группы 6, альтернативно называемой группой VIB периодической таблицы элементов, по меньшей мере один металл из групп 8, 9 или 10, альтернативно называемых группой VIII периодической таблицы элементов, и необязательно содержащий фос...
2624024