РАММ Юрген (CH)

Изобретение относится к слоистым системам, наносимым методом PVD, а именно дуговым испарением. Слоистая система содержит по меньшей мере один слой смешанных кристаллов многокомпонентного оксида состава (Ме11-хМе2х)2O3, где каждый из Ме1 и Ме2 означает по меньшей мере один из элементов Al, Cr, Fe, Li, Mg, Mn, Nb, Ti, Sb или V, и при этом элементы Ме1 и Ме2 отличаются друг от друга. При этом криста...

Изобретение относится к способам получения электроизолирующих слоев вакуумным нанесением покрытия. Согласно способу между по меньшей мере одним анодом и катодом дугового источника в содержащей реакционноспособный газ атмосфере осуществляют стабильный электрический дуговой разряд при приложении к поверхности мишени в основном перпендикулярного внешнего магнитного поля, которое имеет вертикальную с...

Изобретение относится к режущим инструментам с покрытием. Режущий инструмент содержит спеченное тело из цементированного карбида, кубического нитрида бора, металлокерамики или керамики с режущей кромкой с радиусом Re, боковой и передней поверхностью и однослойное или многослойное PVD-покрытие, покрывающее по меньшей мере часть поверхности спеченного тела и содержащее по меньшей мере один оксидный...

Изобретение относится к установке и способу плазменной вакуумной обработки. Обработку проводят в вакуумной камере (1), в которой размещены устройство для генерирования электрического низковольтного дугового разряда (15) (НВДР), носитель (7) изделия для приема и перемещения изделий (2) и по меньшей мере один ввод (8) для инертного и/или реакционного газа. НВДР состоит из катода (10) и анода (13),...

Изобретение относится к области плазменной обработки. При обработке поверхностей подложек или обрабатываемых деталей с помощью вакуумного плазменного разряда между анодом (9) и катодом (7) образуется и осаждается на анодной поверхности (21) твердое вещество (19), которое имеет более высокий удельный импеданс по постоянному току, чем удельный импеданс по постоянному току материала анода. По меньше...

Вакуумная установка нанесения покрытий содержит впуск (12) реакционноспособного газа, по меньшей мере один PVD-источник (8, 21) покрытия с плоским катодом (11) и подложкодержатель (6), содержащий несколько подложек (7), при этом подложкодержатель (6) обладает двухмерной горизонтальной протяженностью и расположен между по меньшей мере двумя PVD-источниками покрытия, при этом несколько подложек (7...

Изобретение относится к барьерным слоям, обеспечивающим снижение проницаемости материала для конкретных субстанций. Способ для получения на подложке барьера, препятствующего прониканию водорода, содержит стадию осаждения на подложке слоевой системы (LS), содержащей, по меньшей мере, один слой (L1; L2; L3), при этом на указанной стадии проводят стадию осаждения методом физического осаждения паров...

Изобретение относится к способу эксплуатации источника дуги, причем электрический искровой разряд поджигается и управляется на поверхности мишени (5), и искровой разряд управляется одновременно постоянным током, которому сопоставлено постоянное напряжение DV, и вырабатываемым посредством периодически прикладываемого сигнала напряжения импульсным током. При этом напряжение на источнике ду...

Изобретение относится к области катодного искрового испарения. Способ импульсного прерывистого искрового разряда осуществляют посредством разряда от конденсатора и током разряда управляют посредством периодического подключения конденсатора. Между импульсами имеются временные интервалы отключения, в течение которых не протекает ток искрового разряда. В течение импульса, то есть в течение временны...