PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ДРЕВЕ Беатрис (FR)

Изобретатель ДРЕВЕ Беатрис (FR) является автором следующих патентов:

Способ получения самоподдерживающейся кристаллизованной кремниевой тонкой пленки

Способ получения самоподдерживающейся кристаллизованной кремниевой тонкой пленки

Изобретение относится к способу перекристаллизации для получения самоподдерживающихся кристаллических кремниевых лент с размером зерна более 1 мм. Сущность изобретения: способ получения самоподдерживающейся кристаллической кремниевой тонкой пленки включает по меньшей мере стадии, заключающиеся в: (1) получении пластины материала, образованной по меньшей мере из трех разных наслоенных друг на друг...

2460167

Способ получения неприлипающего покрытия на основе карбида кремния

Способ получения неприлипающего покрытия на основе карбида кремния

Изобретение относится к технологии производства поверхностного покрытия для тиглей, предназначенных для приведения в контакт с жидкими материалами при высокой температуре, такими как жидкий кремний, с целью их затвердевания, например, в форме цилиндров. Способ получения пористого, неприлипающего покрытия, образованного из частиц карбида кремния, по меньшей мере, частично покрытых нанометровым сло...

2479679

Способ соединения деталей из углеродного материала пайкой тугоплавким припоем

Способ соединения деталей из углеродного материала пайкой тугоплавким припоем

Настоящее изобретение относится к способу соединения деталей из углеродного материала с использованием тугоплавкого припоя на основе карбида кремния, которые применяются в микроэлектронике и солнечных фотоэлектрических устройствах. Способ соединения по меньшей мере двух деталей из углеродного материала с размером частиц менее 10 мкм, имеющих открытую пористость от 0% до 40% по объему включает сл...

2480434

Материал, обладающий многослойной структурой и предназначенный для контакта с жидким кремнием

Материал, обладающий многослойной структурой и предназначенный для контакта с жидким кремнием

Настоящее изобретение относится к новым материалам, обладающим многослойной структурой, предназначенным для контакта с жидким кремнием при процессах его плавления и отвердевания, в частности, выращивания кристаллов кремния для применения в фотогальванике. Элемент материала включает первый (поддерживающий) слой с открытой пористостью 25-40%, состоящий из графитовых гранул размером 1-10 мкм; повер...

2494999