Свешникова Л.Л.

 Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%: Плавиковая кислота - 0,75 - 10 Дифторид ксенона - 0,05...

 Полирующий травитель монокристаллов германата висмута, содержащий соляную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладких поверхностей и упрощения технологического процесса обработки кристаллов, он дополнительно содержит многоатомный предельный спирт - этиленгликоль или глицерин при следующих соотношениях компонентов, мас.%: Соляная кислота - 5 - 35 Многоатомный...

 Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%: Бром - 0,1-2,5 Ацетонитрил - 97,5-99,9

 1. Способ полирования монокристаллов дифторида бария, включающий подачу травителя на тканевый полировальник, вращение полировальника вокруг оси и прижатие обрабатываемых монокристаллов к полировальнику, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки поверхности, травитель на полировальник подают с расходом 5 10-8 - 1,66 10-7 м3/с, а полировальник вращают вокруг своей оси с...

  Использование: микроэлектроника, предэпитаксиальная обработка подложек из дифторида бария при изготовлении фотоприемных устройств. Сущность изобретения: полирующий травитель для обработки кристаллов дифторида бария содержит бромистоводородную кислоту 10 - 50 об. % и глицерин 50 - 90 об. % . Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной...

 Использование: в полупроводниковой технике и при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев. Между ближайшим к подложке проводящим n+GaAs слоем и многослойной периодической структурой наносят туннельно-тонкий стоп-слой AlAs толщиной 2-5 нм. Тр...