Лобанов Б.Д.

 (19)SU(11)658638(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ОКГ Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам оптических квантовых устройств и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптич...

 (19)SU(11)762692(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам лазеров и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптических квантовых усил...

 (19)SU(11)807961(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА Изобретение относится к квантовой электронике, к способам изготовления активных элементов на основе монокристаллов, и может быть использов...

 Активная среда на основе фторида лития с ионами гидроксила, отличающаяся тем, что, с целью повышения интенсивности излучения за счет увеличения концентрации термически и оптически стабильных при комнатной температуре рабочих центров и получения генерации на трех частотах одновременно, в нее дополнительно введены примеси ионов гидроксила и двухвалентных металлов при следующих соотношениях...

 Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента в непрерывном режиме за счет повышения оптической устойчивости центров окраски, монокристалл после облучения ионизирующим излучением дополнительно по...

 (19)SU(11)1028100(13)A1(51)  МПК 6    C30B17/00, H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов доб...

 1. Пассивный модулятор добротности резонатора лазера на основе монокристалла фторида лития, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии моноимпульса, формируемого модулятором, монокристалл содержит свободные ОН--ионы и Mg ++OH-OH-Vc--комплексы, где Vc- катионная вакансия.2. Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера, включающий облучение монокристалла ион...

 (19)SU(11)1123499(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ Изобретение относится к квантовой электронике, к активным средам оптических квантовых устройств, и может...

 Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации-центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз...

 Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5...

 Активный элемент твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента при одновременном повышении частоты следования импульсов генерации, монокристалл фторида лития дополнительно содержит Mg++ O---комплексы.

 СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ TL°VA+ В КРИСТАЛЛАХ KCL-TL, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света - кристаллы CsI-Tl, которые предварительно...

 Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно...

 Способ получения фтористого лития, используемого для выращивания монокристаллов, включающий взаимодействие растворов гидроксида лития и фтористоводородной кислоты в присутствии добавки, отличающийся тем, что, с целью получения продукта, обеспечивающего высокую степень поглощения инфракрасного излучения в области спектра m=3720 см-1, в качестве добавки вводят гидроксид натрия в количестве...

 Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

 Способ создания F-2-центров окраски в активной среде лазера на основе LiF, включающий обучение -квантами в интервале доз 5105 - 106 Gy, отличающийся тем, что, с целью формирования осесимметричного профиля поглощения F-2-центров окраски в активной среде, перед облучением -квантами проводят облучение электронами в интервале доз 106 - 5106 Gy активной среды, вращающейся вокруг своей оси.

 Изобретение относится к медицинской технике, а именно к лазерным установкам, и может быть использовано для комбинированного воздействия лазерного излучения различных режимов работы. Сущность изобретения: установка содержит излучатели основного и юстировочного лазеров с источниками питания и охлаждения и систему подведения лазерного излучения. Пассивный лазерный затвор установлен в резонат...