Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития
Патент 1443496
Авторы
Классы МПК
- C30B33 - Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D 5/00)
- C30B29/12 - галогениды
Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития
Реферат
Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.