Фомин Б.И.
Изобретатель Фомин Б.И. является автором следующих патентов:
![Способ определения количества кремния в пленках алюминия Способ определения количества кремния в пленках алюминия](/img/empty.gif)
Способ определения количества кремния в пленках алюминия
Способ определения количества кремния в пленках алюминия путем электрохимического анодного растворения контролируемой пленки с последующим определением количества электричества, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности при определении до 0,1 вес.% количества кремния в пленке алюминия, контролируемую пленку предварительно наносят на подложку - свидетель из кремн...
635789![Рабочая клеть планетарного стана поперечно-винтовой прокатки Рабочая клеть планетарного стана поперечно-винтовой прокатки](/img/empty.gif)
Рабочая клеть планетарного стана поперечно-винтовой прокатки
Рабочая клеть планетарного стана поперечно-винтовой прокатки, содержащая установленную в корпусе на подшипниках обойму с полым валом, в котором размещен комплект рабочих валков, оси которых расположены под углом к оси прокатки, привод вращения обоймы с электродвигателем, дифференциальный привод вращения валков с электродвигателем и солнечным колесом, установленным на втулке, смонтированно...
1324157![Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния](/img/empty.gif)
Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния
Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 -...
1387797![Способ сборки сердечника статора Способ сборки сердечника статора](/img/empty.gif)
Способ сборки сердечника статора
Использование: в электромашиностроении. Сущность изобретения: в условиях завода набирают укороченные секторы, образуя между соседними секторами свободное пространство, тангенциальный размер которого равен аналогичному размеру штатного сегмента, а на монтаже, соединяя сердечник в неразъемное кольцо, производят укладку штатных сегментов в свободное пространство и взамен удаляемых временных...
2027284![Устройство для прессования сегментов подпятника гидрогенератора Устройство для прессования сегментов подпятника гидрогенератора](/img/empty.gif)
Устройство для прессования сегментов подпятника гидрогенератора
Использование: изготовление подпятников гидрогенераторов. Сущность изобретения: устройство содержит пресс-форму, состоящую из матрицы и секционного пуансона. Секции пуансона выполнены со сквозными соосными отверстиями, в которых установлена стягивающая секции шпилька с гайками и пружинными шайбами. На боковых сторонах секции пуансона выполнены проточки полуцилиндрической формы, которые пр...
2085773![Способ изготовления сегментов подпятников гидрогенераторов с эластичным металлопластмассовым покрытием Способ изготовления сегментов подпятников гидрогенераторов с эластичным металлопластмассовым покрытием](/img/empty.gif)
Способ изготовления сегментов подпятников гидрогенераторов с эластичным металлопластмассовым покрытием
Использование: изготовление подпятников мощных гидрогенераторов с упругодемпфируемым антифрикционным покрытием. Сущность изобретения: предварительное изготовление упругодеформирующего элемента включает прессование металлической проволочной спирали, соединение ее с фторопластовым покрытием при прессовании в пресс-форме с подогревом и соединение с основанием сегментов. Упругодеформирующий э...
2095652![Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе"](/img/empty.gif)
Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе"
Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационностойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, удаление с поверхности пористого сл...
2125323