Козлов А.Л.

  .(3" 78744 Ка(асс 5а> 18а>в СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ H. М. Охрименко, А. Л. K03;IOB и А. Г. Осипов СНОСОВ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТА ПРИТОКА НЕФТИ И ГАЗА В СКВАЖИНАХ ПУТЕМ ЗАМЕРА ТЕМПЕРАТУР Заявлено 25 января 1!)(В г. за,Ла 3!)0722 в Гоет« .(н{ку СССР Предлагаемый способ определения мес.га llpHToK» исфтн и газа в скважинах путем замер» температур в скважине (тер 3(ока ()от» жа) б...

  М 133832 Класс 5а, 17 ц СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа № 110 В П. Савченко, А. Л. Козлов и Н. В. Черский СПОСОБ ПРОМЫШЛЕКНОИ РАЗВЕДКИ ГАЗОВОГО МЕСТОРОЖДЕНИЯ Заявлено 21 августа 1959 г. за № 638655/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 24 за 1962 г. Извест...

 1. Ударно-контактный охранный извещатель, содержащий корпус с расположенными в нем первым постоянным магнитом и первым герконом, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости извещателя, в него введены второй геркон, второй постоянным магнит и магнитный узел взведения, первыми выводами первый и второй герконы соединены между собой, а их вторые выводы являются выходами извеща...

 Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение пр...

 Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан пр...

 Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбор...

 Использование: технология электронной техники, для изготовления межуровневого диэлектрика и пассивирующих покрытий. Сущность изобретения: полупроводниковые подложки со структурами интегральных схем размещают в реакторе, откачивают реактор, вводят в реактор смесь моносилан, закись азота, фосфин, инертный газ и аммиак, осаждают пленку фосфорсиликатного стекла в плазме ВЧ и СВЧ разряда при т...

 Изобретение относится к технологии изготовления электронной техники, в частности к технологии осаждения пленки двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано для создания диэлектрических слоев при производстве сверхбольших интегральных схем. Сущность: изобретение позволяет повысить качество пленки путем снижения дефектности и повышения электрической прочности. Для этого в реа...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии осаждения пленок двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано при производстве сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: перед осаждением пленки проводят продувку реактора закисью азота при давлении 40 - 266 Па в течение 3 - 20 мин. После осаждения проводят термообработку пленок в кислороде. 1 та...

 Изобретение относится к специализированным средствам вычислительной техники и предназначено для моделирования процесса передачи информации. Цель изобретения - повышение точности моделирования. Для достижения цели в устройство введены генератор импульсов длительности символов команд, триггер, элемент ИЛИ и два элемента И. Устройство позволяет фиксировать число искаженных символов команд. 1...

 Изобретение относится к специализированным средствам вычислительной техники и предназначено для моделирования процесса распределения и обслуживания заявок между каналами схемы массового обслуживания. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей устройства за счет моделирования начального обслуживания заявок первой фазы и повторного обслуживания заявок первой фазы после обслуж...