Логунов Лев Сергеевич (RU)

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. В основу изобретения положена задача создания нового типа активированных поверхностей диэлектрика для лазерно-индуцированного осаждения меди, на которых материал подложки одновременно выполняет функцию восст...

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. В основу изобретения положена задача создания способа лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика, в котором обеспечивается образование медных осадков с высокой электропроводн...

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. В предложенном способе лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика проводят подготовку раствора электролита, промывку подложки, фокусирование лазера на границу подложка-электролит и сканирование излу...

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является обеспечение образование медных осадков с высокой электропроводностью за счет формирования плотного однородного осадка вследствие использования механи...