Овсюк В.Н.

 1. Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках, заключающийся в том, что к образцу прикладывают постоянное напряжение смещения различной величины, формирующее область обеднения, пропускают через образец высокочастотный ток с заданной амплитудой, прикладывают к образцу низкочастотное напряжение с частотой , вызывающее амплитудную модуляцию глубины области обеднения, ре...

 Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка...

 Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого син...

 Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характерис...

 1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с цел...

 Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, пер...

 Использование: для определения добротности, концентрации легирующей примеси и глубоких примесных центров в полупроводниковых материалах, пленках и приборов (МДП-структуры, p-n-переходы, контакты металл - полупроводник, эпитаксиальные слои и др). Сущность изобретения: введение новых блоков позволяет подавать на вторую клемму для подключения полупроводника противофазное напряжение постоянно...

 Использование: в технологии изготовления фотоприемников инфракрасного излучения. Сущность изобретения: на исходных кристаллах Cdx Hg1-x Те с = 0,190-0,250 p-типа проводимости размещают индиевую фольгу и помещают полученный сендвич в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой. Затем проводят нагрев до температуры 220-245 град.С и отжиг при этой температуре в течение времени 500-100...

 Использование: в полупроводниковой технике и при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев. Между ближайшим к подложке проводящим n+GaAs слоем и многослойной периодической структурой наносят туннельно-тонкий стоп-слой AlAs толщиной 2-5 нм. Тр...

 Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках CdxHg1-xTe включает в себя химическую полировку в бромном травителе, промывку поверхности в органически...

 Использование: технология сборки фотоприемных устройств, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе сборки фстоприемных устройств, включающем напыление индиевых столбов на полупроводниковые материалы с последующим соединением составляющих узлов сборки: матрицы фотоприемников и коммутатора, перед напылением на элементы матрицы индия наносят подслой,...