Способ определения концентрации двумерного электронного газа

Способ определения концентрации двумерного электронного газа

Реферат

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки V_отс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости С₁ при напряжении смещения, соответствующем полному обеднению слоя полупроводника между барьерным контактом и проводящим квантовым слоем, а величину концентрации двумерного электронного газа N_2b рассчитывают по формуле где q - заряд электрона; А - площадь поверхностно-барьерного контакта.