Махов В.И.

 Сверхпроводниковый пленочный логический элемент, содержащий экран, два изолированных от него сверхпроводящих электрода, расположенные над ними и соединенные распределенным джозефсоновским контактом, подводящие шины, подсоединенные к средней части электродов, и по крайней мере одну управляющую шину, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и расширения функциональных возможнос...

 Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце бу...

 Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади пе...

 Использование: приборы с малым временем готовности. Сущность изобретения: выполнение автоэлектронного катода из шайбы, расположенной перпендикулярно оси катода. Шайба имеет кольцевой участок из проводящей пленки, которая выступает над поверхностью вторичноэлектронного эмиттера на высоту, равную 5 - 20% расстояния анод - катод. 1 з. п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к электронной техник...

 Использование: при производстве приборов и устройств полупроводниковой электроники, а также криоэлектроники. Диэлектрический слой осаждают в виде аморфного материала при температуре подложки не свыше 300C, а затем осуществляют нагрев слоя до температуры, обеспечивающей фазовый переход диэлектрика в кристаллическое состояние, импульсным воздействием потоками плазмы или потоками квантов в с...

 Использование: в приборах СВЧ М-типа, в частности, в магнетронах с малым временем готовности. Сущность изобретения: ток возбуждения магнетрона обеспечивается автоэлектронной эмиссией с обращенного к аноду края элемента, обеспечивающего первичную эмиссию. Она вызывается сильным электрическим полем за счет приложения анодного напряжения. Эмиттируемые указанным элементом электроны ускоряются...

  Использование: электронная техника, в частности СВЧ-приборы М-типа с малым временем готовности. Сущность изобретения: прибор содержит керн 1, с размещенными на нем виторичными электронными эмиттерами 2, между которыми расположены автоэлектронные эмиттеры 3, защищенные диэлектрической пленкой 4, выполненной из диэлектриков типа боридов, нитридов, оксидов либо с добавками щелочных и щелочн...

 Использование: в СВЧ приборах М-типа с автоэлектронным запуском. Сущность изобретения: с целью создания конструкции СВЧ-прибора, работающего при малых рабочих напряжениях (от киловольт до сотен вольт и ниже), в приборе, содержащем анод 1 и коаксиально расположенный с зазором 2 катод, состоящий из автоэлектронного и вторично-эмиссионного эмиттеров, в теле 3 последнего выполнено, по меньшей...

 Изобретение относится к вакуумной электронике, а более конкретно - к автоэлектронным катодам и вакуумным приборам, работающим на основе автоэлектронной эмиссии. В катодный узел, содержащий автоэлектронный и вторично-электронный эмиттеры, введена магнитная цель, создающая магнитное поле, вектор индукции которой перпендикулярен потоку электронов, эмиттированных с автоэлектронного эмиттера,...

 Изобретение относится к магнетронам и имеет своей целью повышение эффективности использования рабочей поверхности автоэлектронных эмиттеров, надежности приборов в условиях повышенного механического воздействия. Магнетрон содержит анод и коаксиально размещенный внутри него катодный узел, состоящий из вторично-электронного и автоэлектронного эмиттера и боковых фланцев, служащих фокусирующим...

 Изобретение относится к СВЧ-приборам М-типа. Техническим результатом является повышение эффективности использования рабочей поверхности автоэлектронных эмиттеров, повышение их надежности с одновременным увеличением стабильности автоэлектронной эмиссии и срока службы магнетрона. Устройство содержит анод и коаксиально размещенный внутри него катод, состоящий из цилиндрического стержня и эле...