СИМОНОВ В.В.

  P) И C А И И Е !>!))) це71 ИЗОБРЕТЕНИЯ «о)ое! «.овйтсхих Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22} заявлено 25,1 2.70(21} 03167/22-3 с присоединением заявки _#_ (51) М. Кл. Е 21 Ь 9 10 Государственный комитет ! оветв Министров СССР по делам иаеоретений и откр»)тий (23) Приоритет(43) Опубликовано 25.02,76с>юллетеиь ¹ 7 (45} Дата опубликования описания...

  566450 Оп ИСАНЙЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советским Социалистическим Республик (61) дополнительное к авт. свид-ву (22) Заивлено 24127 4 (21) 2086144/04 с присоединением заявки № (23) Приоритет (1)М К 2 С 07 С 51/54 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 547.582.2 .07 (088.8) Опубликовано 2502.79. Бюллетень № 7 Дата опублико...

  ОПИСАпИЕ ИЗОБРЕТЕИИЯ (;oe> Советских Социалистических Республик

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни. Цель изобретения - расширение диапазона измерений в область малых доз н упрощение способа. Сущность предлагаемого изобретения заключается в том, что на полупроводниковую подложку наносят слой ионночув- .ствнтельного резиста с параметрами, соответствующими условию D«#i...