АЛЬТМАН ИГОРЬ РАФАИЛОВИЧ

  +Ü" 1ÅÑI(Äf,I : -QfbXiIL М -"иЬ.- .! )462О72 Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от явт. свидетельства— (22) Заявлено 19.04.73 (21) 1914930/25-28 с Ilpf(COC+f(I(e(flfeh(заявки ¹â€” (32) Приоритст— Опубликовяио 28.02.75. Бюллетень № 8 Дата оиубликоваиия описания 07.08.75 (51) М Кл G Olb 19/36.Госуд...

  IIij 56I926 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт, caIIд-ву (22) Заявлено 17.01.72 (21) 1737914/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15 06.77. Бюллетень ¹ 22 Дата опублгкования описания 27.07.77 (51) М Кл 2 6 02F 1/00 Государственный коглнтет Совета Министров СССР чо делам изобретений и открытий (53) УДК 531.715(088.8) (72)...

  ЭЛАСТИЧНАЯ КАССЕТА ДЛЯ ГЕР МЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОИЛХ ПРИБОРО содержащая основание с ячейкой для размещения арматуры полупроводникового прибора и герметизирующего компаунда, отличают а я с я тем, что, с цельюповышения точности изготовления корпусов полупровод никовых приборов с испольэовани.ем компаундов с положительным коэффициентом обьемного расширения при . f полимеризации, я...

  А1 „„SU, 1250411 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ) Ь - := Ф "..P —. СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (>1!, („ ) > f 1 (): 1 ;-(: > (1 f >I(.()! ()1 1!(1! 1, f! III> II II I ill,lлl I «, >»> д )pL7rC «» >,. 3 (>,» > (< >(. l! ! I ((Н> (! (»«.» < Л,>Ч I(j((((1j j((((>(3.:Nf < iI3«ы «ri 1,« < (,! r1«...

  Изобретение относится к области производства полупроводниковых высоковольтных диодов. Целью изобретения является упрощение операции определения полярности столбиков. В способе изготовления высоковольтного диода при сборке под пайку к одной стороне пакета присоединяют дополнительную пластину из пористого смачиваемого припоем ферромагнитного-материала, преимущественно из никеля, с...

  Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов . Целью изобретения является увеличение технологического выхода годных приборов за счет маскирования р-п-перехода выступающей частью боковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя. При изготовлении полупроводникового прибора сначала припаивают вывод к стороне кристалла с большим диаметром маскиру...

  Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано для герметизации полупроводниковых структур. Цель изобретения - снижение материалоемкости кассеты при повышении ее надежности - достигается тем, что на проти волежащей большей стороне параллелепипеда выполнены дополнительные ячейки, расположенные зеркально симметрично основным, при этом глубина к...

  Изобретение относится к полупровод ни кову приборостроению и может быть использовано при изготовлении широкого класса полупроводниковых приборов., Цель изобретения - повышение надежности. Сущность способа заключается в том, что кристалл с p-n-перходом соединяют пайкой с металлическим основанием, облучают кольцо из термически отвержденной эпоксидной смолы потоком электронов k-в Мэ...

  Сущность способа: использовано принудительное сжатие кассеты с арматурой приборов эластичным ободом, имеющим определенную геометрическую конфигурацию . 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 3 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 01 1 23/28 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ЬЭ 0с Ql V (21) 4930544/...

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления высоковольтных приборов . Сущность изобретения: при изготовлении высоковольтных р-п-переходов в кремнии на кремниевую пластину наносят диффузант. содержащий алюминий и олово в соотношении, мае.ч: 0.006 5п02/А12(МОз)з 0,04, проводят загонку примеси, наносят диффузант, содержащий бор, и затем проводят совместную диффузию. Спо...