Способ измерения толщины эпитаксиальных пленок

Способ измерения толщины эпитаксиальных пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

+Ü" 1ÅÑI(Äf,I

: -QfbXiIL М

-"иЬ.- .!

)462О72

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от явт. свидетельства— (22) Заявлено 19.04.73 (21) 1914930/25-28 с Ilpf(COC+f(I(e(flfeh(заявки ¹â€” (32) Приоритст—

Опубликовяио 28.02.75. Бюллетень № 8

Дата оиубликоваиия описания 07.08.75 (51) М Кл G Olb 19/36.Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 531 717 1 (088.8) (72) Авторы изобретешгя

И. P. Альтман, В. П. Головнин, В. С. Гончар и P. А. Церфас

Ташкентский завод электронной техники имени В. И. Ленина (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

ПЛЕНОК

Изобретение относится к области измерительной техии(f(и касается толщииы эпитаксиальиых пленок противоиоло>киого типа,проВОДИ М ОСТИ.

Известен иитерферометрический метод измерения топких пленок, который заключается в том, ITo иа пленку с подложкой иаправляют световой поток и измеряют разность фаз между иитерфери(рующими лучами, отряжеиНЫМИ От ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНКИ И От I.PBI! III!,(s( пленка — подложка. По измеренной разности фаз опрсделя(от толщину пленки.

Однако этот метод сравнительно сложен и ,достаточно трудоемок, что затрудняет использоваиие его для контроля и анализа техиологических,процессов в производственных условиях.

Предлагаемь(й способ отличается от известного метода тем, что к освещенной пленке прикладывают в точке измерения периодически изменяющееся усилие и регистри(руют образующуюся между пленкой и подложкой фотоэ.д.с,, по которой определяют толщину пленки.

Предлагаемый способ базируется иа положении, что иа эпитаксиальиых плепках с подложкой противоположного типа проводимости наблюдается изменение величины фото-э.д.с. между плеикои:! подложкой при воздействии иа пленку локального дявлсиия. Ооъясняется этО тем, ITO В системе плс (ка — подло?ккеl

Ilpll II3личии 1l3I lláà, характеризуемого стрелой прогиба /»;;r возllíêàloò горизонтально направленные внутренние напряжения а»

5 I H / ».: /I(, где à — модуль Юнга, Н вЂ” толщина подложкll, I(— толщllиа плеики. Добавоч иое дявлси ис Р 113 пленку в пс(рвом и рибли>кеиии создаст

1.1 ! I » ... -(-<Ал)

Оf>=— IP где и — коэффицllci(T пропорциональности, постояииьш в области упругой деформации. С другой стороны, величииа фото-э.д.с. Па р — n переходе пропорциоиальиа отиошсгиио Is/I:«. где I.. — ток, ооусловлеииый генерацией носителей светом, / — обратный ток р — n перекода. Измсисиие /.- — обрятиого тока, вызывающее измсисиис фото-э.д.с., связаио с измеиеиием I(Iflpflf(b(запрещеииой зоны полупроB03l3IfIsOB0I O МатЕРИаЛа От ДаВЛЕИИЯ. МО>КИО показать так>ке, что 0T!loll(cl(llc 113 (effeIII(i(фоTO-э.д.с. к 1133!CIIC)!lifo дяв ICIff III, приложеииоГО К П 1CI(КС, ООР 11110 ПPÎ!10РЦ110113.1ЬИ(0 ТОЛ(ЦИ ие плеики.

BeËfIsIIiiIÓ ИЗМСИЕИИЯ фОтО-Э.Д.С. »0>fa(O ПРОкя 1110роВ3ТВ В Вел ичиl!с т01щииь! эпитаксиал IIOI(плс:(кii, опрсдслеииой другим извсст. иым методом, иапример методом дефектов

У 11 3!so BIs! f. OII!(0311111 IlI зО

462072

Составитель А. Салин

Техред 7. Курилко

Корректор Н. Лук

Редактор О. Юркова

Полин!сиое

3".Каз 2403 Иад. ¹ 1!50 Тираж 782

ЦНИ11ПИ Государственного комитета Совста Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, jK-35, Рауигская наб., д, 4/5

Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли нову предлагаемого неразрушающего метода измерения толщины эпитаксиальной пленк;! иа подложке с противоположным типом проводимости.

Изобретение поясняется чертежом.

Изме!ряемый объект 1 помещают под локально давящий зонд 2, к которому прикладывают периодически изменяющееся усилие.

Одновременно от источника света 3 с помощью оптических элементов 4 направляют модулированный световой поток Ila участок пленки, который подвергается воздействию !авящего зонда. Величина фото-э.д.с. измеряется селективиым вольтметром 5 с высоким входным сопротивлением !Км10" ом) по показаниям стрелочного прибора 6. Резонансная частота селективного вольтметра выбирается ра !ой частоте прерывания света модулято,ром 7. Ковтактох! к пленке для измерения фотз-э.д.". служ!гг металлический щуп 8, расположе!шый вблизи от давящего зонда

5 светового пятна 9, другой контакт осуществляется через столик, иа котором находится измеряемый объект.

Предмет изобретения

С;-и:об измерения толщ)!иы эпитаксиальиых

10 пленок иа г!Од!!Оукке п130тивоположного типа проводимости путем облучения пленки световым потоком, отл!гча!Ощийся тем, что, с цел! !о повышения производительности, в точке измерения прикладывают периодически изменя!о15 щееся усилие и регистрируют образующуюся между пленкой и подложкой фото-э.д.с., по которой определяют толщину пленки.