ЦЕРФАС РОБЕРТ АРТУРОВИЧ

  +Ü" 1ÅÑI(Äf,I : -QfbXiIL М -"иЬ.- .! )462О72 Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от явт. свидетельства— (22) Заявлено 19.04.73 (21) 1914930/25-28 с Ilpf(COC+f(I(e(flfeh(заявки ¹â€” (32) Приоритст— Опубликовяио 28.02.75. Бюллетень № 8 Дата оиубликоваиия описания 07.08.75 (51) М Кл G Olb 19/36.Госуд...

  IIij 56I926 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт, caIIд-ву (22) Заявлено 17.01.72 (21) 1737914/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15 06.77. Бюллетень ¹ 22 Дата опублгкования описания 27.07.77 (51) М Кл 2 6 02F 1/00 Государственный коглнтет Совета Министров СССР чо делам изобретений и открытий (53) УДК 531.715(088.8) (72)...

  ЭЛАСТИЧНАЯ КАССЕТА ДЛЯ ГЕР МЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОИЛХ ПРИБОРО содержащая основание с ячейкой для размещения арматуры полупроводникового прибора и герметизирующего компаунда, отличают а я с я тем, что, с цельюповышения точности изготовления корпусов полупровод никовых приборов с испольэовани.ем компаундов с положительным коэффициентом обьемного расширения при . f полимеризации, я...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК „„Я0„„1219131

  А1 „„SU, 1250411 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ) Ь - := Ф "..P —. СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (>1!, („ ) > f 1 (): 1 ;-(: > (1 f >I(.()! ()1 1!(1! 1, f! III> II II I ill,lлl I «, >»> д )pL7rC «» >,. 3 (>,» > (< >(. l! ! I ((Н> (! (»«.» < Л,>Ч I(j((((1j j((((>(3.:Nf < iI3«ы «ri 1,« < (,! r1«...

  Изобретение относится к области производства полупроводниковых высоковольтных диодов. Целью изобретения является упрощение операции определения полярности столбиков. В способе изготовления высоковольтного диода при сборке под пайку к одной стороне пакета присоединяют дополнительную пластину из пористого смачиваемого припоем ферромагнитного-материала, преимущественно из никеля, с...

  Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов . Целью изобретения является увеличение технологического выхода годных приборов за счет маскирования р-п-перехода выступающей частью боковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя. При изготовлении полупроводникового прибора сначала припаивают вывод к стороне кристалла с большим диаметром маскиру...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при нанесении защитных и герметизирующих покрытий. Цель изобретения - повышение выхода годных за счет лучшей воспроизводимости габаритов корпуса. Поставленная цель достигается тем, что при офсетном нанесении слоя жидкого компаунда на движущуюся арматуру приборов, установленную параллельно на общем держа...

  Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано для герметизации полупроводниковых структур. Цель изобретения - снижение материалоемкости кассеты при повышении ее надежности - достигается тем, что на проти волежащей большей стороне параллелепипеда выполнены дополнительные ячейки, расположенные зеркально симметрично основным, при этом глубина к...

  Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к сборке и пайке кристаллической структуры к кристаллодержателю. Цель изобретения - повышение качества пайки. Сущность изобретения заключается в выборе температуры потока газа и времени выдержки элементов полупроводникового прибора в потоке нагретого газа. Использование данного способа обеспечивает сниже...

  Изобретение служит для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы травлением. Сущность: при разделении полупроводниковых пластин на кристаллы используют двухстороннее травление в жидкостном травителе по узким промежуткам , вскрытым в маскирующем покрытии. Рисунок промежутков с обеих сторон пластин одинаков. Для каждого травителя имеется предельная величина ширины доро...