Способ изготовления полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов . Целью изобретения является увеличение технологического выхода годных приборов за счет маскирования р-п-перехода выступающей частью боковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя. При изготовлении полупроводникового прибора сначала припаивают вывод к стороне кристалла с большим диаметром маскирующего омического контакта. Выступающая часть боковой поверхности кристалла, полученная при химическом травлении пластин,, экранирует область р-п-перехода от прямого попадания продуктов испарения припоя при пайке короткими импульсами. Применение изобретения позволит увеличить технологический выход годных приборов на 6-8% за счет уменьшения уровня загрязнения р-п-перехода, выходящего на боковзта поверхность кристалла, при пайке. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А3 (19) (И) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPGKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4014750/25-27 (22) 23.01,86 (46) 23.07.87. Бюл. ¹ 27 (75) И.P.Àëüòìàí, В.П.Головнин, P.À.Öåðôàñ, О.М.РиАтин и А.М. Столбов (53) 621 . 791 . 3 (088. 8) (56) Патент Японии № 50-26906, кл. 99/5, 04.09.75. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (57) Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение технологического выхода год- . ных приборов за счет маскирования р-и-перехода выступающей частью боко(51)4 Н 01 1. 21. 50 В 23 К 1 12 вой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя. При изготовлении полупроводникового прибора сначала припаивают вывод к стороне кристалла с больним диаметром маскирующего омического контакта. Выступающая часть боковой поверхности кристалла, полученная при химическом травлении пластин,, экранирует .область р-и-перехода от прямого попадания продуктов испарения припоя при пайке короткими импульсами. Применение изобретения позволит увеличить технологический выход годных приборов на 6-8X sa счет уменьшения уровня загрязнения р-п-перехода, выходящего на боковую поверхность кристалла, при пайке.

2 ил.

1325603

Изобретение относится к лроизнодстну полупроводниковых диодов средней мощности, используемых н радиоаппаратуре.

1(ель изобретения — увеличение тех- 5 нологического выхода годных приборов зя счет маскирования p-n-перехода выступающей частью боковой поверхнос- ти кристалла, обрязоганной лри химическом травлении, от продуктов исла- 10 рения припоя.

Ня Аиг,l представлена схема взаимного расположения выводов и кристалла с р-и-переходом; на Лиг.2 — статистические распределения обратного 15 тока I при ориентации кристалла полупроводникового прибора к прилаивяемому выводу сноей большей площадью (кривая I) и меньшей площадью (кривая II). 20

Изготовление полупроводникового прибора включает изготовление кристаллов 1 путем химического травления пластин с р-и-переходом 2, на каждой стороне которой соосно нанесены оми- 25 ческие контакты с отличающимися диаметрами. Припайку выводов к каждой стороне поверхности кристалла выполняют импульсами прямого тока разной длительнбсти, но одинаковой энергии, 30 подводимыми через электроды 3 и ч.

При этом лрипайка первого вывода 5 к стороне кристалла с большим диаметром контакта ведется более короткими импульсами, чем при припайке второго вывода к стороне кристалла .с меньшим диаметром омического контакта.

Выступающая часть боковой поверхности кристалла — зонтик, полученная при химическом травлении пластин, 40 экрянирует область р-и-перехода от прямого попадания продуктов испарения припоя лри пайке короткими импульсами.

Пример. Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-пе-50 рехода 90 — 100 мкм при толщине пластины 210 — 230 мкм. <орма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (фиг,l). Р— n-переход получают дифАузией! алюминия в и-тил с удельным сопротивлением 10 Ом см. ,Соосные омические контакты разного диаметра (П< = 1,65 мм, D = 1,85 мм) ня криста3!лак н! <по

Пайку кристаллов к выводу вь<полняNT поочередно импул! c,ë ìè прямого тока. При первой

В теку<цей технологии первая лриляйка кристаллов к выводу ведется к стороне кристалла с малым диаметром омического контакта, такая лоследовательность лрипайки кристаллов к выводам существовала, когда разделение пластины ня кристаллы велось методом ультрязнуконой резки. Технологический выход годных приборов при контроле параметров на. операции классификации составляет 60 — 657,.

Опытная проверка припайки кристаллов сначала со стороны контакта с большим диаметром, я потом со стороны меньшего диаметра показывает увели !ение выхода годных приборов при классификации до 70 — 75K.

Анализ полученных результатов показывает, что на опытных приборах повышается вослроизводимость электрических параметров, н 5 — 7 раз уменьшается число ньл< . сков припоя в виде мелких шариков припоя со стороны р-иперехода, что указывает на маскирование продуктов испарения и на уменьшение переплава припоя при первой импульсной припяйке.

Статистическое распределение приборов по значениям обратного тока

Х, измеренного при обратном напряжении 400 В ня 2000 шт. приборах (Avr.2), показывает, что опытные приборы (кривая I) имеют меньший разброс значений Т ОбР

Внедрение способа требует изменения полярности импульса на существующем генераторе импульсов тока и обратной ориентации кристалла в кассете для импульсной пайки. Применение изобретения позволяет увеличить технологический выход годных приборов на 6

8Õ за счет уменьшения уровня загряз= нения р-п-перехода, выходящего на бо— конуЮ поверхность кристалла,1 при пайкеа

Форыулаизобретения

Способ изготовления полулроводниковых приборов., включающий изготовление кристаллов путем химического

1325603

%, 70 12 одр, еаА Р Оф

Фиг. 2

Составитель Л. Абросимова

Техред Л.Олейник Корректор Е. Рошко

Редактор N. Бланар

Тираж 698 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 3119/51

Производственно-полиграфическое .предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 травления пла"Yèíí с глубокозалегающим 11-п-переходом, на которой соосно нанесены маскирующие омические контакты с различными диаметрами, и поочереднуто припайку выводов к каждому омическому контакту кристалла импульсами прямого тока разной длительности, отличающийся тем, что, с целью увеличения технологического выхода годных приборов за счет маскиро-, вания р — п-переход» выступающей частью боковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя, сначала припаивают вывод к стороне кристалла с большим диаметром маскирующего омического контакта °