Хулугуров В.М.

 (19)SU(11)658638(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ОКГ Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам оптических квантовых устройств и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптич...

 (19)SU(11)762692(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам лазеров и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптических квантовых усил...

 (19)SU(11)814225(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления активных элементов твердотельных ОКГ и может быть использов...

 (19)SU(11)845721(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к твердотельным активным материалам оптических квантовых устройств и может быть использовано при изготовлении акти...

 (19)SU(11)1064835(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления сред для лазерных элементов и может быть...

 (19)SU(11)1102458(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологии изготовления оптических элементов, служащих для...

 (19)SU(11)1152475(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии изготовления оптически...

 (19)SU(11)1220475(13)A1(51)  МПК 6    G02F1/35(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 - ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано дл...

 (19)SU(11)1264604(13)A1(51)  МПК 6    C30B17/00, C30B29/12H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии получения материала лазерного элемента (ЛЭ), и...

  Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологии изготовления оптических элементов. Цель изобретения получение генерации в области 0,64 0,72 мкм и увеличение срока службы лазера в указанном диапазоне. Данный способ изготовления лазерной среды заключается в том, что кристалл фторида лития с примесью магния подвергается облучению при температуре от 196°С до 40°С дозами...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к способам изготовления оптических элементов, служащих для генерации и усиления перестраиваемого по частоте излучения, а также управления параметрами излучения лазеров. Цель изобретения увеличение фотоустойчивости рабочих центров окраски с одновременным расширением спектрального диапазона рабочих длин волн. В процессе облучен...

 Изобретение относится к квантовой электронике и м.б. использовано для динамической голографии. Цель изобретения снижение мощности, затрачиваемой на создание динамической дифракционной решетки, путем заселения метастабильных состояний рабочих центров с одновременным увеличением набора частот обращаемых волн. Кристалл фторида лития с примесными ионами гидроксила дополнительно легируют приме...

 Изобретение относится к квантовой электронике. Цель изобретения повышение энергии излучения путем увеличения концентрации рабочих центров окраски при одновременном упрощении способа. В способе для создания сопутствующих F-агрегатных центров, включая F1 и F2, преобразование центров в рабочие F+2 и возбуждение F+1 производят широкополосным излучением газоразрядных ламп накачки, для этого кр...

  Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в динамической голографии для преобразования волновых фронтов лазерного излучения. Цель - уменьшение плотности мощности, затрачиваемой на создание динамической дифракционной решетки. Нелинейный материал на основе кристалла фторида лития содержит F+3 и F+3* - центры к концентрациях, соответствующих коэффециентам погло...

 1. Лазер с ламповой накачкой, содержащий кювету с люминесцирующей средой и с активным элементом, расположенным вдоль оси кюветы, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД лазера путем предотвращения развития суперлюминесценции в люминесцирующей среде в направлении, совпадающем с оптической осью активного элемента, в люминесцирующую среду вводят оптические неоднородности, препятствующие...

 Лазерный материал для активных элементов и пассивных затворов на основе монокристаллического фтористого лития с примесными ионами гидроксила OH и рабочими F+2-центрами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь, он дополнительно содержит примесь натрия в количестве 0,5 - 3 мас.%.

 Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в...

 1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в...

 Лазер, содержащий резонатор, установленный на его оптической оси, оптический лазерный элемент, выполненный в виде призмы с многократным полным внутренним отражением от ее граней, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции лазера и уменьшения его габаритов, оптический лазерный элемент выполнен в виде шестигранной призмы, симметричной относительно плоскости, перпендикулярной оптич...

 Использование: спектроскопия, волоконная оптика, оптическая связь, фотодинамическая терапия, для разделения изотопов. Лазер включает оптический генератор накачки на ионах неодима, ВКР-преобразователь. После ВКР-преобразователя по ходу накачки установлен кристаллический оптический элемент из фторида лития с F-2 -центрами окраски. 1 ил. , 1 табл. Изобретение относится к области квантовой эл...

 Изобретение относится к медицинской технике, а именно к устройствам для физиотерапевтического воздействия низкоинтенсивным лазерным излучением. Сущность изобретения: устройство содержит полупроводниковый лазерный диод с блоком питания, содержащим последовательно соединенные генератор шума, фильтр нижних частот, генератор, управляемый напряжением, и усилитель мощности, с выходом которого с...

 Использование: в лазерной технике. Сущность изобретения: способ включает выращивание кристаллов хлористого калия из расплава с добавлением соли таллия. Кристаллы выращивают из расплава по методу Стокбаргера в вакуумированных кварцевых ампулах из соли KCl с добавкой азотнокислого таллия TlNO3. Контроль за содержанием таллия в кристаллах осуществляют по А-полосе поглощения в ультрафиолетово...

 Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано в спектроскопии, волоконной оптике и медицине. Лазер содержит генератор накачки, оптический резонатор с широкополосной усиливающей средой. В оптическом резонаторе также установлен параметрический усилитель света, выполненный на основе нелинейного кристалла с температурно перестраиваемым синхронизмом. Техническ...